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单管共集电极和共基极放大电路
晶体三极管
单管共射极放大电路
放大电路静态工作点的稳定
多级放大电路
放大电路的频率响应
小功率管
中功率管
大功率管
为什么有孔?
多子浓度高
多子浓度很
低,且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
IB/mA
IC/mA
<
IE/mA
<
(3)
(4)
IB=0(将基极开路)时,IC<=1µA。该电流称为穿透电流,一般用ICEO表示
要使晶体管起放大作用,外加电源须满足:发射结
正向偏置,集电结反向偏置。
扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。
少数载流子的运动
因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区
因基区薄且多子浓度低,使扩散到基区的电子中的极少数与空穴复合
因集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区
基区空穴的扩散
穿透电流
集电结反向电流
电流分配:IE=IB+IC
直流电流放大系数
(1)输入特性曲线
死区电压
导通压降
对于小功率晶体管,通常只用vCE≥1V的一条输入特性曲线。
=0V
v
CE
>1V
CE
v
(2)输出特性曲线
对应于一个iB就有一条iC随vCE变化的曲线。
饱和区
放大区
截止区
=20μA
=40μA
=60μA
=80μA
(mA)
1
2
3
4
(1)放大区
①发射结正向偏置,
集电结反向偏置。
②
放大区也称为线性区。
③vCE增加时,iC基本不变,
呈恒流特性。也称恒流区。
(2)截止区
①发射结反向偏置,
集电结反向偏置。
②iB=0时,iC=ICEO≈0。
晶体管的集射极之间相
当于开关断开。
(3)饱和区
①发射结正向偏置,
集电结正向偏置。
②iC不再受iB控制,晶体管
的集—射极之间相当于开关
的导通。
VCE=VCES=~
安全工作区
(1)集电极最大允许电流
β值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流。
(2)反向击穿电压
(3)集电结最大允许耗散功率PCM