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第2章晶体管及其放大电路分析课件.ppt

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第2章晶体管及其放大电路分析课件.ppt

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范立南恩莉代红艳李雪飞
中国水利水电出版社
第2章晶体管及其放大电路分析




利用不同的掺杂方式在同一块硅片上,制造出能够形成两个PN结的三个掺杂区,就构成了半导体三极管,又称为双极型晶体管(BJT,BipolarJunctionTransistor的缩写)、晶体三极管,通常简称为晶体管。
晶体管按照频率可分为:高频管和低频管;
按照功率可分为大功率管、中功率管和小功率管;
按照材料可分为硅管和锗管;
按照构成晶体管的三个掺杂区的不同,可分为NPN型和PNP型。


(a)结构示意图(b)符号
图2-2PNP型晶体管的结构示意图及符号
晶体管的几种常见外形如图2-3所示。
(a)、(b)小功率管(c)中功率管(d)大功率管
图2-3晶体管的常见外形


放大作用是一种能量控制作用,放大的对象是变化量,能够
将微小的变化量不失真的放大输出。放大作用是通过放大电
路来实现的,放大电路的核心元件是晶体管。
晶体管具有放大作用所需具备的内部条件:在制造晶体管时
需保证其发射区掺杂浓度高;基区很薄且掺杂浓度低;集电
结面积大。
晶体管具有放大作用所需具备的外部条件:发射结正偏,集
电结反偏。

(1)发射区向基区大量注入电子
(2)电子在基区复合和进一步扩散
(3)集电区大量收集电子
图2-5晶体管内部载流子运动示意图

图2-6基本共射放大电路
晶体管的输入特性曲线是指当晶体管集-射之间电压一定的
情况下,输入回路的基极电流与基-射电压之间的关系曲
线,可以表示为:
晶体管的输出特性曲线是指当晶体管基极电流一定的情况
下,输出回路的集电极电流与集-射电压之间的关系曲线,
可以表示为:
晶体管的输出特性曲线,分为三个工作区:截止区、放大区
和饱和区。
(1)截止区:晶体管的发射结处于反偏或者零偏,集电结
处于反偏时,该晶体管工作在截止区。
(2)放大区:晶体管的发射结处于正偏,集电结处于反偏
时,该晶体管工作在放大区。
(3)饱和区:晶体管的发射结处于正偏,集电结也处于正
偏时,该晶体管工作在饱和区;
当晶体管的发射结处于正偏,集电结处于零偏时,该晶体管
工作在临界饱和状态。