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地
址
寄
存
地
址
译
码
存储体
控制电路
AB
数
据
寄
存
读
写
电
路
DB
OE
WE
CS
存储容量:指存储器可存储的二进制信息量.
芯片的存储容量=2M×N
M:芯片的地址线根数
N:芯片的数据线根数
即:存储容量=字数×字长
微机中常用字节数来表示存储容量。
存取速度(最大存取时间):是指存储器从接收存储单元地址码开始,到取出或存入数据为止所需的时间,其上限值称为最大存取时间。
超高速存储器的最大存取时间小于20ns,
中速存储器在100-200ns之间,
低速存储器在300ns以上。
静态RAM
SRAM2114
SRAM6264
动态RAM
DRAM4116
DRAM2164
SRAM的基本存储单元是触发器电路
每个基本存储单元存储二进制数一位
许多个基本存储单元形成行列存储矩阵
SRAM一般采用“字结构”存储矩阵:
每个存储单元存放多位(4、8、16等)
每个存储单元具有一个地址
SRAM芯片2114
存储容量为1024×4
18个引脚:
10根地址线A9~A0
4根数据线I/O4~I/O1
片选CS*
读写WE*
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
1716
15
14
13
12
11
10
Vcc
A7
A8
A9
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
WE*
A6
A5
A4
A3
A0
A1
A2
CS*
GND
SRAM芯片6264
存储容量为8K×8
28个引脚:
13根地址线A12~A0
8根数据线D7~D0
片选CS1*、CS2
读写WE*、OE*
+5V
WE*
CS2
A8
A9
A11
OE*
A10
CS1*
D7
D6
D5
D4
D3
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
D0
D1
D2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容
必须配备“读出再生放大电路”进行刷新
每次同时对一行的存储单元进行刷新
每个基本存储单元存储二进制数一位
许多个基本存储单元形成行列存储矩阵
DRAM一般采用“位结构”存储体:
每个存储单元存放一位
需要8个存储芯片构成一个字节单元
每个字节存储单元具有一个地址
DRAM芯片4116
存储容量为16K×1
16个引脚:
7根地址线A6~A0
1根数据输入线DIN
1根数据输出线DOUT
行地址选通RAS*
列地址选通CAS*
读写控制WE*
VBB
DIN
WE*
RAS*
A0
A2
A1
VDD
VSS
CAS*
DOUT
A6
A3
A4
A5
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9