ic工艺课件.ppt

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1
第一步:气相成底膜处理
硅片清洗
脱水烘焙
晶圆涂底胶(或硅片成底膜处理)
硅片表面的准备对于得到高成品率的光刻非常关键;
目的:增强硅片和光刻胶间的粘附性。
主要步骤:
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2
硅片清洗
通常在硅片进入光刻间之前进行。
光刻过程中硅片上的沾污的一个主要影响是:造成光刻胶与硅片的粘附性很差。
显影和刻蚀时会引起光刻胶的漂移;
导致底层薄膜的钻蚀;
总的说来,颗粒沾污会导致不平坦的光刻胶涂层或产生针孔。
湿法清洗+去离子水清洗
Date
3
晶圆涂底胶
除了脱水烘焙外,还可通过在晶圆上涂化学底胶的步骤来保证粘附性。
目前广泛应用的涂底胶技术是:HMDS(即六***二硅***),其作用是去掉材料表面的―OH基,通常几个分子厚的底胶就足够提供粘附催化剂的作用。
主要技术:
浸润式
喷雾式
蒸汽式(气相成底膜)
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7
喷雾分滴和旋转
用一喷嘴喷雾器在硅片表面上沉积一层细微的雾状HMDS。
优点:喷雾有助于硅片上颗粒的去除;
缺点:处理时间长,HMDS消耗量大。
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9
蒸汽式(气相成底膜)
方法:
(1)先进行脱水烘焙;
(2)将单个硅片置于热板上通过热传导熏蒸形成底膜。
优点:
(1)不与硅片接触,减小了来自液体HMDS的颗粒沾污;
(2)HMDS消耗量少;
(3)低缺陷密度,均匀加热及可重复性。
故,是最常用的涂底胶方法。
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热板脱水烘焙和气相成底膜
工艺:温度为~200to250C,时间~60sec.
Wafer
Exhaust抽气
Hotplate
热板
腔盖
Chambercover
HMDS
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旋转涂胶四个基本步骤
1、分滴(滴胶)
2、加速旋转
3、甩掉多余的胶
4、溶剂挥发
StepsofPhotoresistSpinCoating
快速加速硅片并旋转到一高转速,使光刻胶伸展到整个平面;
均匀的光刻胶膜
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旋转涂胶参数
滴胶量
很大程度上取决于光刻胶的粘度;通常粘度高的光刻胶需要的滴胶量也大,即粘度越小的光刻胶有越薄的胶膜厚度;
厚度和均匀性
硅片上光刻胶的厚度和均匀性是非常关键的质量参数。
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影响光刻胶厚度和均匀性的参数
对光刻胶厚度最关键的参数:
转速和光刻胶粘度
黏度越低,光刻胶的厚度越薄;
速度越快,厚度越薄;
影响胶均匀性的参数
旋转加速度,加速越快越均匀;与旋转加速的时间点有关。
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