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电学部唐唐跃跃强
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主要内容容
一、半导导体技术术的发展展
二、半导导体技术术的热点点
三、探讨讨的问题题
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半导体领领域广义义的说是是与半导导体有关关的领域域,涉及及半导体体材料、、半导体体材料的的制备、、半导体器器件、半半导体器器件的制制造工艺艺、半导体体器件的的应用、、半导体体器件的的测量等等等。其其分类号号:H01L、、H05K、G06、、H01S。
一、半导导体技术术的发展展
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半导体器器件的零零部件例如有::将引线线框架、、引线键键合或焊焊料凸点点、安装装架、安安装容器器、散热热装置、、密封层层、封装装树脂层层等;
有机及无无机材料料半导体体器件;
半导体器器件的制制造设备备及工艺艺。
产品种类类:
分立器件件:二极管管、晶体体管、晶晶闸管、、太阳能能电池、、压电器器件、发发光器件件、单电电子器件件等;
集成电路路(布图图)例如有::集成的的晶体管管、MOS、CMOS、DRAM、、SRAM、ROM、、EPROM、、EEPROM、SOC等等;
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二、半导导体技术术的热点点
1、纳米米技术;;
2、太阳阳能电池池技术((光电));
3、LED技术术(OLED技技术,电电光);;
4、FinFET技术术。
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2、太阳阳能电池池技术;;
(1)单单晶硅太太阳能电电池
目前单晶晶硅太阳阳能电池池的光电电转换效效率为15%左左右,最最高的达达到24%,单单晶硅太太阳能电电池一般般采用钢钢化玻璃璃以及防防水树脂脂进行封封装,因因此其坚坚固耐用用,使用用寿命一一般可达达15年年,最高高可达25年。。
(2)多多晶硅太太阳能电电池
多晶硅太太阳电池池的制作作工艺与与单晶硅硅太阳电电池差不不多,但但是多晶晶硅太阳阳能电池池的光电电转换效效率则要要降低不不少,其其光电转转换效率率约12%左右右。
(3)非非晶硅太太阳能电电池
非晶硅太太阳电池池是1976年年出现的的新型薄薄膜式太太阳电池池,目前前为10%左右右,且不不够稳定定,随着着时间的的延长,,其转换换效率衰衰减。
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2、太阳阳能电池池技术
4)化合合物半导导体太阳阳电池
a)硫硫化镉太太阳能电电池;
b)砷砷化镓太太阳能电电池;
c)铜铜铟硒太太阳能电电池(新新型多元元带隙梯梯度Cu(In,Ga)Se2薄薄膜太阳阳能电池池,光电电转化率率为18%)
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2、太阳阳能电池池技术
(5)染染料敏化化太阳能能电池
染料敏化化太阳能能电池((DSC)主要要由纳米米多孔半半导体薄薄膜、染染料敏化化剂、氧氧化还原原电解质质、对电电极和导导电基底底等几部部分组成成。纳米米多孔半半导体薄薄膜通常常为金属属氧化物物(TiO2、、SnO2、ZnO等等),聚聚集在有有透明导导电膜的的玻璃板板上作为为DSC的负极极。对电电极作为为还原催催化剂,,通常在在带有透透明导电电膜的玻玻璃上镀镀上铂。。敏化染染料吸附附在纳米米多孔二二氧化钛钛膜面上上。正负负极间填填充的是是含有氧氧化还原原电对的的电解质质,最常常用的是是I3/I-。。
DSC与与传统的的太阳电电池相比比有以下下一些优优势(附图FTO导导电玻璃璃上的ZnO纳纳米片SEM图图)
a)寿寿命长::使用寿寿命可达达15-20年年;
b)结结构简单单、生产产工艺简简单,易易于制造造;
c)生生产产成本本较低低。
1991年年由瑞瑞士洛洛桑联联邦理理工学学院首首次发发表了了染料料敏化化电池池的原原型,,%~%。
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2、太太阳能能电池池技术术;
从太阳阳能电电池芯芯片的的结构构的角角度进进行分分类,,太阳阳能电电池专专利技技术可可以分分为PN结结、PIN结、、肖特特基结结、异异质结结、MIS结、、超晶晶格能能带结结构和和能带带渐变变结构构。
(1))PN结结结构::
PN结结结构构的最最早专专利申申请始始于1965年年。
(2))PIN结结结构构,最最早专专利申申请始始于1955年年。
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2、太太阳能能电池池技术术;
(3))异质质结结结构::
最早专专利申申请始始于1956年年
(4))肖特特基结结结构构:
专利申申请始始于1966年年
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