光刻过程图片解说.ppt

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1、基本描述和过程
2、光刻胶
3、光刻机
4、光刻工艺
5、新技术简介
第一页,共54页。
光刻基本介绍
在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻
胶上的过程
将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。
光刻占40%到50%的流片时间。
决定最小特征尺寸。
IC制程中最重要的模块,是集成电路中关键的工艺技术最
早的构想来源于印刷技术中的照相制版。光刻技术最早于1958年开始应用,并实现了平面晶体管的制作。
第二页,共54页。
光刻的一般要求
图形的分辨率高
光刻胶敏感度高
层间对准精密高
缺陷密度低
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光刻胶
开始于印刷电路
1950年起应用于半导体工业
是图形工艺的关键
有正胶和负胶两种
光敏材料
均匀涂布在硅片表面
用曝光的方法转移设计图形到光刻胶上
类似于光敏材料涂布在照相用的底片上
第四页,共54页。
光刻胶的成分
聚合物
溶剂
感光剂
添加剂
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聚合物
固体有机材料(胶膜的主体)
转移图形到硅片上
UV曝光后发生光化学反应,溶解性质发
生改变.
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溶剂
溶解聚合物
经过旋转涂布可得到薄光刻胶膜.
感光剂
控制和或改变光化学反应
决定曝光时间和强度
添加剂
为达到不同的工艺结果而添加多种不同的化学物质,如添加染色剂以减少反射。
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光刻胶的要求
高分辨率
–光刻胶越薄,分辨率越高
–光刻胶越薄,抗刻蚀和离子注入能力越低
高抗刻蚀性(要求厚膜)
好的黏附性
注入屏蔽能力强和针孔少(要求厚膜)
宽工艺窗口
–能适应工艺的变更
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光刻胶的种类
第九页,共54页。
第十页,共54页。