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报告内容
前言
Wafer制程
IC封装制程
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前言
IC制程
前道工序
(1)晶圆片制造
(2)晶圆制造
后道工序
(1)晶圆测试
(2)IC芯片封装及测试
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Wafer制程
一、晶圆片制造
product
4step
3step
2step
1step
硅晶棒
切片
研磨
出厂准备
晶圆片
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Wafer制程
1、单晶硅晶棒的制作
将多晶硅熔解在石英炉中,然后依靠一根石英棒慢慢的拉出纯净的单晶硅棒。
CZ法(Czochralski法,柴式長晶法)
拉晶时,将特定晶向的晶种,浸入过饱和的纯硅熔汤中,并同时旋转拉出,硅原子便依照晶种晶向,乖乖地一层层成长上去,而得出所谓的晶棒
FZ法(FloatingZone法,浮融長晶法)
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Wafer制程
2(1)、单晶硅棒的切割(切片)
从坩埚中拉出的晶柱,表面并不平整,经磨成平滑的圆柱后,并切除头尾两端锥状段,形成标准的圆柱,被切除或磨削的部份则回收重新冶炼。接着以以高硬度锯片或线锯将圆柱切成片状的晶圆(Wafer)
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Wafer制程
2(2)、单晶硅棒的切割(晶块的切割)
切割刀线切割
线切割:
损耗少、切割速度快,进而可以减少成本等,适用于大直径的晶圆
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Wafer制程
3(1)、研磨
将切割后片状晶圆的边缘以磨具研磨成光滑的圆弧形。
防止边破碎;
避免热应力集中;
使光阻剂于表面均有分布。
3(2).晶片研磨与蚀刻
采用物理与化学的方法,除去切割或边磨所造成的锯痕或表面破坏层,同时使晶面表面达到可进行抛光处理的平坦度。
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Wafer制程
4、出厂准备
清洗:用各种高度洁净的清洗液与超音波处理,除去芯片表面的所有污染物质,使芯片达到可进行下一步加工的状态。
检验:检查晶圆片表面清洁度、平坦度等各项规格,以确保品质符合顾客的要求。
包装:使用合适的包装,使芯片处于无尘及洁净的状态,同时预防搬运过程中发生的振动使芯片受损
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Wafer制程
二、晶圆制造
清洗
形成薄膜
光罩
蚀刻
扩散/离子植入
去光阻
热处理
微影
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