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优选电力电子器件第五讲
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(MCT)
MCT自20世纪80年代末问世,已生产出300A/2000V、1000A/1000V的器件;
结构:是晶闸管SCR和场效应管MOSFET复合而成的新型器件,其主导元件是SCR,控制元件是MOSFET;
与IGBT一起竞争发展,但经过10多年的努力,其关键技术没有打的突破,电压和电流容量远未达到预期数值,未投入实际应用。而其竞争对手IGBT却进展飞速,目前从事MCT研究的人不多。
特点:耐高电压、大电流、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小、开关速度高;
第1章
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、其它新型电力电子器件
第1章
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(SIT)
它是一种节型场效应晶体管。单极型多子导电的器件,具有输出功率大、输入阻抗高、开关特性好、热稳定性好、抗辐射能力强等优点;
广泛用于高频感应加热设备(例如200kHz、200kW的高频感应加热电源)。并适用于高音质音频放大器、大功率中频广播发射机、电视发射机、差转机微波以及空间技术等领域。
缺点:,加负偏压时关断,称为正常导通型器件,使用不方便,未流行开。
,通态损耗也较大。
第1章
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、其它新型电力电子器件
第1章
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(SITH)
SITH是两种载流子导电的双极型器件,具有电导调制效应,通态压降低,通流能力强;
优点:与GTO相比,SITH的通态电阻小、通态压降低、开关速度快、损耗小、di/dt及du/dt耐量高等;
应用:应用在直流调速系统,高频加热电源和开关电源等领域;
缺点:正常导通型,也有正常关断型;电流关断增益小;制造工艺复杂,成本高;
第1章
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第1章
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(IGCT/GCT)
IGCT:(IntegratedGate-CommutatedThyristor)
也称GCT(Gate-CommutatedThyristor)集成门极换流晶闸管。
20世纪90年代后期出现。结合了IGBT与GTO的优点,容量与GTO相当,开关速度快10倍,且可省去GTO庞大而复杂的缓冲电路,只不过所需的驱动功率仍很大;
IGCT可望成为高功率高电压低频电力电子装置的优选功率器件之一。
第1章
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、其它新型电力电子器件
第1章
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