文档介绍：,一曲门极电压晶闸管时候还能继续导通,为什么?
答:晶闸管一旦导通,门极就失去了控制作用,撤掉外电路主图门极的电流IG,晶闸管由于内部已形成了强烈的正反馈会仍然维持导通状态。
,门极改加适当大小的反向电压会发生什么情况?
答:警察管导通后,门极就失去控制作用,因而晶闸管仍保持导通状态。
?若真导通会是什么情况?
答:若晶闸管导通***极断路,晶闸管承受正向阳极电压时晶闸管仍会导通。一般情况下门极断路晶闸管不会导通。
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答:交流变交流(电子控制变换,直流变交流(整流),直流变直流(直流斩波),交流变直流(逆变)
、电子技术和电力电子技术三者所涉及技术内容和研究对象是什么?三者的技术发展和应用主要依赖什么电气设备和器件。
答:电力电子技术分为电力电子器件制造技术和交流技术
电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行交换和控制的技术。
电子学:电路、器件
电力学:静止器、旋转电机
电力电子技术:晶闸管
答:Q=UIcosα
?主要控制方式是什么?
答:因为只能通过其门极控制其开通,不能控制其关断,所以是半空型器件
8,以两种器件为例,说明全控型器件的特点是什么?
答:
?它有哪些优点?
特点:1 .静态特性
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压, ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ~ 3V