文档介绍：书名:电力电子技术(第2版)
作者:黄家善主编
ISBN: 7-111-15734-6
出版社:***出版社
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第二章全控型电力电子器件
GTO——门极可关断晶闸管
GTR——电力晶体管
MOSFET——电力场效应晶体管
IGBT——门极绝缘栅双极晶体管
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模块
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IGBT
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什么是电力电子技术-电力电子器件
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开关器件——IGCT=驱动电路+GCT
4kA/ IGCT
663A/ IGCT
GCT分解部件
什么是电力电子技术-开关器件
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第一节门极可关断(GTO)晶闸管
1. 结构
与普通晶闸管的相同点:PNPN四层半导体结构,外部引出阳极、阴极和门极;
和普通晶闸管的不同点:GTO是一种多元的功率集成器件,内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。
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2. 导通关断条件
导通:同晶闸管,AK正偏,GK正偏
关断:门极加负脉冲电流
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全控型
容量大
off≈5
电流控制型
电流关断增益off : 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益
1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。
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第二节 GTR——电力晶体管
电力晶体管GTR (Giant Transistor,巨型晶体管)
耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor——BJT),英文有时候也称为Power BJT
在电力电子技术的范围内,GTR与BJT这两个名称等效。
  应用
20世纪80年代以来,在中、小功率范围内取代晶闸管,但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代
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