文档介绍：IRF540 N沟道MOS管
特性
‘Thrench’工艺
低的导通内阻
快速开关
低热敏电阻
综述
使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管
应用:
DC到DC转换器
开关电源
电视及电脑显示器电源
IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。
IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。
管脚
管脚
描述
1
Gate
2
Drain
3
Source
Tab
Drain
极限值
系统绝对最大值依照限制值
符号
参数
条件
最小值
最大值
单位
V_DSS
V_DGR
漏源极电压
漏门极电压
Tj= 25 ˚C to 175˚C
Tj = 25 ˚C to 175˚C;
-
-
100
100
V
V
V_GS
I_D
I_DM
P_D
Tj,Tsig
门源极电压
连续漏电流
脉冲漏电流
总功耗
操作点和
存储温度
RGS = 20 kΩ
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V
Tmb = 25 ˚C
Tmb = 25 ˚C
-
-
-
-
-
-55
±20
23
16
92
100
175
V
A
A
A
W
℃
雪崩能量极限值
符号
参数
条件
最小值
最大值
单位
非重复性雪崩能量
最大非重复性雪崩电流
Unclamped inductive load, IAS = 10 A;
tp = 350 µs; Tj prior to avalanche = 25˚C;
VDD ≤ 25 V; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V; refer to fig:14
-
-
230
23
mJ
A
热敏电阻
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
安装底座交界处的热阻
周围环境热阻
SOT78封装,自由空间
SOT404封装,PCB上
-
-
-
-
60
50
-
-
K/W
K/W
K/W
电特性
25℃除非另有说明
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
漏源极崩溃电压
门阀电压
漏源极导通电阻
=0V;=
Tj = -55˚C
= ; ID = 1 mA
Tj = 175˚C
Tj = -55˚C
= 10 V; ID = 17 A
100
89
2
1
-
-
-
-
3
-
-
49
-
-
4
-
6
77
V
V
V
V
V
mΩ
向前跨导
门源极泄漏电流
0门极电压漏电流
Tj = 175˚C
=25V; =17A
=±20 V;=0V
VDS = 100 V; VGS = 0 V
VDS=80V;VGS=0V;Tj= 175˚C
-
-
-
132
10
-
193
-
100
10
250
mΩ
S
nA
uA
uA
总共门极电荷
门源极电荷
门漏极电荷
ID = 17 A
VDD = 80 V;
VGS = 10 V
-
-
-
-
-
-
65
10
29
nC
nC
nC
开启延迟时间
开启上沿时间
关闭延迟时间
关闭下沿时间
= 50 V; = Ω;
= 10 V; = Ω
Resistive load
-
-
-
-
8
39
26
24
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
内部漏电感
内部漏电感
内部源极电感
Measured tab to centre of die
Measured from drain lead to centre of die (SOT78 package only)
Measured from source lead to source
bond pad
-
-
-
-
-
-
nH
nH
nH
输入电容
输出电容
反馈电容
= 0 V; = 25 V; f = 1 MHz
-
-
-
890
139
83
1187
167
109
pF
pF
pF
反向二极管极限值及特性
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
连续源极电流
脉冲源极电流
二极管正向电压
=28A;