文档介绍：该【模拟电子技术基础第三版 课后答案 】是由【金】上传分享，文档一共【35】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【模拟电子技术基础第三版 课后答案 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第1页实用文档****题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大****题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A??A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A****题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①,如图(b),此时二极管的电流I和电压U各为多少?②如将图(b),则二极管的电流和电压各为多少?I/mA3+U-解:根据图解法求解2①?U?I1I?,U?②电源电压为3V时(a)(b)3?U?II?,U?,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。.模拟电子技术基础第三版课后答案--第1页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第2页实用文档****题1-4已知在下图中,u=10sinωt(V),R=1k,试IL对应地画出二极管的电流i、电压u以及输出电压u的波DDO形,并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。u/VI10+u-D0++?ti/mAuiuDIDRD10-L-(a)0?tu/VI0?t-10u/V10o0?t****题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I、动态电阻r以及温度系数α,是大一些好还是小一ZZU些好?答:动态电阻r愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的Z电压变化量愈小,稳压性能愈好。一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I愈大,Z则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。温度系数α的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳U压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。.模拟电子技术基础第三版课后答案--第2页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第3页实用文档****题1-6某稳压管在温度为20℃,工作电流为5mA时,稳定电压U=10V,已知其动态内阻r=8?,电压的温度系ZZ数α=%/℃,试问:U①当温度不变,工作电流改为20mA时,U约为多少?Z②当工作电流仍为5mA,但温度上升至50℃时,U约为Z多少?解:①?U??Ir?(20?5)?10?3?8??10??②?UU????T?%?(50?20)?%ZZUU?10??1?%??-7在下图中,已知电源电压U=10V,R=200?,R=1k?,稳压管的U=6V,试求:LZ①稳压管中的电流I=?Z②当电源电压U升高到12V时,I将变为多少?Z③当U仍为10V,但R改为2k?时,I将变为多少?LZUR解:①I?Z?6mARR+LLUIZVDRU?ULI?Z?20mA-ZR?I?I?I?20?6?14mAZRLU?U②I?Z?30mA?I?I?I?30?6?24mARZRLUI?Z?3mA?I?I?I?20?3?17mA③--第3页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第4页实用文档****题1-8设有两个相同型号的稳压管,稳压值均为6V,,如果将他们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出各种不同的串联方法。+++---(1)12V(1)(1)-9一个三极管的输出特性如图所示,①试在图中求出u=5V,i=6mA处的电流放大系数?、?、CEC?和?,并进行比较。②设三极管的极限参数为I=20mA,U=15V,PCM(BR)CEOCM=100mW,试在特性曲线图中画出三极管的安全工作区。解:①由图可得:i6i6??C??150,??C???100?ABEB?i9??A??C??145,???B60A?i9???C???A???A②安全0?--第4页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第5页实用文档****题1-10假设有两个三极管,已知第一个管子的??99,1则???当该管的I?10?A时,其I和I各等于多少?已1B1C1E1知第二个管子的??,则其???若该管的I=1mA,22E2则I和I各等于多少?C2B2?解:①??1???1当I?10?A时,I?,I?1mAB1C1E1?②??2?1921??2当I?1mA时,I?,I?50?AE2C2B2****题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I=1μA,CBOβ=30;试估算该管在50℃的I和穿透电流I大致等于多CBOCEO少。已知每当温度升高10℃时,I大约增大一倍,而每当温CBO度升高1℃时,β大约增大1%。I??1???I?31?A解:20℃时,CEOCBO50℃时,I?8?ACBO????1?1%?t?t?30??1?1%?50?2000?30??1?30?1%??39I??1???I?320?A?--第5页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第6页实用文档****题1-12一个实际PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。①查看该三极管的穿透电流I约为多大?输入特性的死区电CEO压约为多大?②为了使PNP型三极管工作在放大区,其u和u的值分别应BEBC该大于零还是小于零?并与NPN型三极管进行比较。解:①查图可知,I=,;CEO②为了使三极管工作在放大区,对PNP型:u<0,u>0;BEBC对NPN型:u>0,u<0。BEBC****题1-13测得某电路中几个三极管各极的电位如图P1-13所示,试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。+5V+12V0V+++2V-++12V-6V+10V(a)(b)(c)(d)-5V+-10V+8V++-++5V-1V+12V(e)(f)(g)(h).模拟电子技术基础第三版课后答案--第6页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第7页实用文档解:判断依据:NPN型:u>0,u<0,放大;u>0,u>0,饱和;BEBCBEBCu<0,u<0,截止。BEBCPNP型:u<0,u>0,放大;u<0,u<0,饱和;BEBCBEBCu>0,u>0,截止。BEBC+5V+12V0V+++2V-++12V-6V+10V(a)(b)(c)(d)放大截止放大饱和-5V+-10V+8V++-++5V-1V+12V(e)(f)(g)(h)--第7页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第8页实用文档****题1-14已知图P1-14(a)~(f)中各三极管的β均为50,U≈,试分别估算各电路中的i和u,判断它们各自E工作在哪个区(截止、放大或饱和),并将各管子的i和Cu对应在输出特性曲线上的位置分别画在图P1-14(g)上。CE2k?2k?200k?20k?10V10V2V(b)(a)I??????,三极管工作在放大区,见图P1-14(g)中B点。见图P1-14(g)中A点。2k?2k?20k?20k?10V10V2V(c)(d)I??0BI??0CU???V?10V以上算出的I与U值是荒谬CCE三极管工作在截止区,的,实质上此时三极管巳工作见图P1-14(g)中D点。在饱和区,故I=,BI≈V/R=5mA,U=UECES≈,见图P1-14(g)中C点。.模拟电子技术基础第三版课后答案--第8页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第9页实用文档20k?200k?20k?10V10V(c)(e)I??0BBI??0CCU?V?10VU?V?三极管工作在截止区,三极管工作在放大区,见图P1-14(g)中E点见图P1-14(g)中F点。(与D点重合)。CABFD、E图P1-14(g).模拟电子技术基础第三版课后答案--第9页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第10页实用文档****题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。试识别它们的管脚,分别标上e、b、c,并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型,硅管还是锗管。112323(+3V)(-11V)(+9V)(+)(-6V)(-)(a)(a)解:本题的前提是两个三极管均工作在放大区。(a)1——发射极e,3——基级b,2——集电极c,三极管类型是NPN锗管。(b)2——发射极e,3——基级b,1——集电极c,三极管类型是PNP硅管****题1-16已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。试作出u=15V时的转移特性曲线,并DS由特性曲线求出该场效应管的开启电压U和I值,以及GS(th)DO当u=15V,u=4V时的跨导g。DSGSmu=15VDS由图可得,开启电压U=2V,I=,GS(th)DO?i4??D????--第10页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第11页实用文档****题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P型沟道或N型沟道,增强型或耗尽型)。如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U和饱和漏极电流I;如为增强型,标出其GS(off)DSS开启电压U。GS(th)(a)绝缘栅型N沟道增强型;(b)结型P沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P沟道增强型****题1-18已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U=+3V,I=4mA,请示意画出其转移特性曲线。GS(th)DO****题1-18图****题1-19图****题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流I=-,夹断电压U=4V,请示意画出其转DSSGS(off)移特性曲线。.模拟电子技术基础第三版课后答案--第11页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第12页实用文档****题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用,简单说明理由。答:(a)无放大作用(发射结反偏);(b)不能正常放大(发射结无直流偏置);(c)无放大作用(集电结无直流偏置);(d)无放大作用(发射结无直流偏置);(e)有放大作用(是射极跟随器);(f)无放大作用(输出交流接地);(g)无放大作用(输入交流接地);(h)不能正常放大(栅极无直流偏置);(i)无放大作用(电源极性接反****题2-2试画出图P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设各电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。答:(a)+VCCRbR+c+Re1UUoRiRRe1bc--Re2(a)直流通路(a)--第12页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第13页实用文档+VCCR3RR14++UUoRRRR2Ri1245--(b)直流通路(b)交流通路+VCCRb2+U?iR?RLb1R-e(c)直流通路(c)交流通路2N?N?图(c)中,U??2UR??3R??iNiLNL??--第13页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第14页实用文档****题2-3在NPN三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明放大电路的I、I和U将增大、减少还是基本不变。BQCQCEQ①增大R;②增大V;③增大β。bCC答:①增大R,则I减少,I减少,U增大。bBQCQCEQ②增大V,则I增大,I增大,U不确定。CCBQCQCEQ③增大β,则I基本不变,I增大,U减少。BQCQCEQ****题2-,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明放大电路的I、I和U、r和A将增BQCQCEQbeu大、减少还是基本不变。①增大R;②增大R;③增大R;④增大β。b1b2e答:①增大R,则I↑,I↑,U↓,r↓,A↑。b1BQCQCEQbeu②增大R,则I↓,I↓,U↑,r↑,A↓。b2BQCQCEQbeu③增大R,则I↓,I↓,U↑,r↑,A↓。eBQCQCEQbeu④增大β,则I↓,I基本不变,U基本不变,r↑,--第14页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第15页实用文档****题2-5设图P2-5中的三极管β=100,U=,BEQV=12V,R=3k?,R=120k?。求静态工作点处的CCcbI、I和U值。BQCQCEQR+V解:120k?V?(I?I)R?IR?UC+RiCCCQBQcBQbBEQ1Cb+?(??1)R?IR?UucBQbBEQuiOIBV?UCCBEQI??(1??)R?Rcb??U?V?I?IR?-6设图P2-6(a)中:R=510k?,R=10k?,R=?,bcLV=10V。三极管的输出特性曲线如图(b)所示。CC①试用图解法求出电路的静态工作点,并分析这个工作点选得是否合适;②在V和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极CC电压U提高到5V左右,可以改变那些参数?如何改法?CEQ③在V和三极管不变的情况下,为了使I=2mA,U=2V,CCCQCEQ应改变那些参数?改成什么数值?+VCCRRbcCC+21+++RUUoiL--(a)(b).模拟电子技术基础第三版课后答案--第15页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第16页实用文档Q1解:①可先用近似估算法求IBQV?U10????20?ABQR510bu?V?iR?10?10i直流负载线方程:静态工作点Q点处,U?,I?,易产生饱和失真。1②为将U提高到5V左右,可同时减小只R和R,如图中QCEQcb2点,也可以R不变,减小R;或R不变,增大R;或同时增大bccbR和R等。--第16页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第17页实用文档③将i=2mA,u=2V的一点与横坐标上u=10V的一点相CCECE连即可得到此时的直流负载线,此时集电极电阻为????R?V?UI?10?22?4k?EQCQ由图可见,Q点处I=40μA,则3BQ????R?V?UI?10??250k?bCCBEQBQ因此,需减小R和R,可减为R=4k?,R=250k?cbcbQ2Q3Q1****题2-7放大电路如图P2-7(a)所示,试按照给定参数,在图P2-7(b)中:①画出直流负载线;②定出Q点(设U=);BEQ③画出交流负载线。VRCCb1+15V39k?RcC2C2k?1++RL2k?UURoib2R11k?eC2k?E__(a)(b)图P2---第17页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第18页实用文档解:①直流负载线方程为:u?V?i(R?R)?15?3ieCR②U?b2V??RCCb1b2U?UI?I?BQBEQ?=,由图可得U=。(b)1③交流负载线通过Q点,且斜率为?,其中R?LR??R//R?1k?LcL****题2-8在图P2-7(a)中,如果输出电压波形为,试问:①电路产生截止失真还是饱和失真?②应如何调整电路参数以消除失真?VRCC答:①饱和失真;b1+15V39k?RcC2C2k?②应降低Q点,为此可增大1++RR(原为39k)。Lb12k?UURRoib2e11k?C__2k?E(a).模拟电子技术基础第三版课后答案--第18页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第19页实用文档****题2-9试作出图P2-9中所示放大电路的负载线。已知:R=560k?,R=?,R=R=10k?,R=1M?,两个直流电bc1L源均为12V,三极管的输出特性曲线如图P2-6(b)所示。+VCC1RcRRbR?RC1R-VLV?图P2-9答:图解的基本方法要求分别画出三极管部分(非线性)和负载部分(线性)的伏安特性,然后求出交点。为此,可利用戴维宁定理将负载部分等效为一个电源V?和一个电阻R?,CCC由给定参数可求得:V??,R??4k?CCc该电路的直流负载线方程为:u??4iCEC图P2-6(b).模拟电子技术基础第三版课后答案--第19页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第20页实用文档****题2-10设图P2-10电路中三极管的β=60,V=6V,CCR=5k?,R=530k?,R=5M?,试:VR①估算静态工作点;bRcCC2②求r值;1be++③求电压放大倍数A,输入电阻UuRULoR和输出电阻R。i_io_V?U解:①BEQ?10?AI??I??I?I??V?IR?3VQC26②r?300?(1??)??beIEQ?(R//R)③A??cL???R//r??R?R?5k?ibbeoc****题2-11利用微变等效电路法估算图P2-11(a)电路的电压放大倍数、输入电阻及输出电阻。已知:R=?,R=10k?,b1b2R=2k?,R=750?,R=?,R=0,V=15V,三极管的输出特性曲线如图(b)所示。解:首先估算Q点,可求得:RU?UU?b1V?3VI?I?BQBEQ??QEQRb1b2eU?V?IR??i由图可知,I?20?A??C?150BQ?i26Br?300?(1??)??beIEQ?(R//R)A??cL???R//r??R?R?2k?--第20页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第21页实用文档****题2-12上题中,如R=10k?,则电压放大倍数sUA?o??uUiUR解:A?o?iA???Ruiio****题2-13在图P2-13的放大电路中,设三极管的β=100,U=,BEQr=200。bb’①估算静态时的I,I和U;BQCQCEQ②计算三极管的r值;be③求出中频时的电压放大倍数;④若输入正弦电压,输出电压波形为,试问三极管产生了截止失真还是饱和失真?应该调整电路中的哪个参数(增大还是减少)?-VV?解:①CCBEQb-10VI??20?A?490kRBQRCc2b3k??CI?I?I?2mA1EQCQBQ++RUU?V?(?IR)??4VULoQci3k?__2626②r?r?(1??)?200?101???bebb?I2EQ?(R//R)③A??cL??100④是截止失真,--第21页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第22页实用文档****题2-14在图P2-14的电路中,设β=50,U=。BEQ①求静态工作点;②画出放大电路的微变等效电路;③求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。+VV?IR?U?(1??)解:①+12VCCBQbBEQBQeRb470k?RV?U12??2?I???20?ACBQR?(1??)R470?51?21++beRUI?I??I??__2k?U?V?IR?IR?②微变等效电路??I26rbRr?300?(1??)???L③Ube?beIiUEQRoRR?(R//R)bcA??cL???(1??)RbeeR?R//?r??1???R???R?R??ib?bee?oc****题2-15设图P2-15中三极管的β=100,U=,r=100?,BEQbb’V=10V,R=3k?,R=?,R=200?,R=33k?,R=100k?,CCceFb1b2负载电阻R=3k?,电容C、C、C均足够大。L123①求静态工作点;②画出微变等效电路;③求电压放大倍数A;④设R=4k?,求A;uSuS+V⑤ioRR解:①b2RU?b1V??2b1b21+U?U+BQBEQRRI?I??+FUR?RUFeRoUiRLIb1Rs-CI?CQ??A-ee-BQ?U?V?IR?I?R?R??--第22页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第23页实用文档+?R?IrR②微变等效电路sbL+?be?UUUiRoRR?R//RsbRcbb1b2-F-26③r?r?(1??)??bebb?IEQ?(R//R)A??cL???(1??)RbeFR?R//R//?r??1???R???④??ib1b2beFRA?iA???RuisR?R?3k?oc****题2-16P106+VRCCb解:①V?IR?U?(1??)IRCCBQbBEQBQeC1CV?U+2?BEQ?10?ABQR?(1??)R+beUUiRRoI?I??I?1mAeL-EQCQBQ-U?V?IR?②r?300?(1??)??beIEQ?1???RR=∞时,A?e??(1??)Rbee?1???R//RR=,A?eL??(1??)R////--第23页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第24页实用文档R=∞时,R?R//?r??1???R??283k?③??LibbeeR=,R?R//?r??1????R//R????Lib?beeL??r?R??r④R??bes?//R?be?29?o1??e1****题2-17P107+VCCRU?RbCo1??cR2CcUUr?(1??)R1o1ibeeC+3U(1??)RUo2?eo2UUr?(1??)RiRRibeeeL-当R=R时,U??Uceo1o2uituo1++?IrbtbeUUuiR+o1Ro2bRUc-eo2----第24页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第25页实用文档****题2-1V=15V2CCR=?Rb1CR=10k?URb2b2UiRRoR=3k?ecLRVR=3k?b1LCC解:①Cβ=50bRU?UU=?b1V?3VR?BQBEQ??BEQBQR?RCCeIr=300?b1b2EQbb’②I?I?2mAI?I???40?ACQEQI=2mABQCQEQU?V?IR?IR??(R//R)③r?r?(1??)?963?A?cL??IurrEQbeR?be??R?R?3k?i1??oc****题2-19P107解:(a)共基电路(b)共射电路(c)共集电路(d)共射电路(e)共射---第25页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第26页实用文档****题2-20P107i/mADR4du=3ViGS3DR+Qg2V2+:①直流负载线方程:u?V?iR?20??2V,U?,I?=20VGSQDSQDQDD?iV=2Vg?D?②m?uR=?GSd③A??gR???R??R=10M?umdodg****题2-21P108+VRRDD2dC①A=-g(R//R)?-+R=R+(R//R)?20M?giG12+R=R=15k?RUoDLUoiRR1sC②不接C时,微变等效电路为sSGDV=30VDDR?R=15k?Udg?gsgUR=1k?mgssRSRRR=20M?Rdg12LR=30k?R1sR=200k?2R=1M?Lg=--第26页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第27页实用文档GDV=30VDDR=15k?R?dUR=1k?g?gsgUsmgsR=20M?RSRRgRdR=30k?12L1RR=200k?s2R=1M?Lg=?U?IR?(1?gR)UigsdsmsgsU??gU(R//R)omgsdLUg(R//R)?A?o??mdL??9uU1?gRims****题2-22P109U=2VGS(th)I=2mARDOgV=20VDDuVV=4VIDDGGIuRR=?VsDOsGGR=1M?gU?V?IRGSQGGDQsU??U?GSQI??I??1???DQDQDOU?GS(th)?2g?II?(th).模拟电子技术基础第三版课后答案--第27页:..模拟电子技术基础第三版课后答案--第28页实用文档微变等效电路U=2VGSGS(th)I=2mADOV=20VRugUSDDuomgsV=4VIGGDR=?sR=1M?U?gURgomgssU?U?U?(1?gR)UigsomsgsUgR?A?o?ms??gRims****题2-23P109R+VRR解:①设U=U=,b1c1BEQ1BEQ2V?UC1VT?BEQ???I?2mAIe2CQ11BQ1设I<<I,则BQ2CQ2V=15VU?V?IR?=360k?U?Ub1I?CQ1BE