文档介绍：第1章半导体器件

1)受外界光照时电导率发生很大变化——光敏性;
2)受外界热刺激时电导率发生很大变化——热敏性;
3)掺进微量杂质,导电能力显著增加——掺杂性。

载流子——可以自由移动的带电粒子。
根据物体导电能力的不同,划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge等。
半导体的特点:
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
T=0K时
本征半导体——纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
自由电子
空穴
本征激发
复合
在常温下
成对出现
成对消失
本征半导体的载流子
空穴运动
结论
,即自由电子和空穴。
,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强。
温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。
。
杂质半导体:
杂质半导体
N型半导体
P型半导体
(三价)
(五价)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
(1)N型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的五价元素,如磷,则形成N型半导体。
(电子型半导体)
磷原子
+4
+5
多余价电子
自由电子
正离子
本征激发
,其中大部分是掺杂提供的,本征半导体中受激产生的自由电子只占少数。
N型半导体中空穴是少子,少子的迁移也能形成电流,由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。
,自由电子是少子。
结论
P 区
N 区
1. PN 结的形成
N区的电子向P区扩散并与空穴复合
P区的空穴向N区扩散并与电子复合
空间电荷区
内电场方向
二、PN结及其单向导电性