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中按位异或运算的结果与校正子相同的两列的对应位进行取反操作。全文摘要一种存储器抗单粒子翻转的纠错检错方法,步骤为(1)从CPU接收K位信息数据;(2)生成与K位信息数据对应的N位校验数据A;(3)将K位信息数据和N位校验数据A存入存储器;(4)从存储器中读出所述K位信息数据,并采用步骤(2)方法重新生成与K位信息数据对应的N位校验数据B;(5)将校验数据A和校验数据B进行异或运算,得到校正子;(6)通过校正子定位信息数据和校验数据A中的错误,若产生一位或两位数据错误,则纠正数据错误并输出正确的数据;若产生三位或可检测的三位以上的数据错误,则提示产生不可纠正错误。该方法纠错能力强、操作简单,可对单粒子效应引起的存储器一位或两位错误进行有效纠检。