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模拟电子技术基础-A 第3章习题答案.ppt

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模拟电子技术基础-A 第3章习题答案.ppt

上传人:mkjafow 2017/12/6 文件大小:573 KB

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文档介绍

文档介绍:第3章场效应管和基本放大在电路
一、场效应管
、增强型MOS管、耗尽型MOS管;
P沟道,N沟道
2. 各种场效应管的符号、特性曲线,电流控制关系及简单工作原理。
3. 转移特性表达式(iD与uGS)
1
2
判断N沟道结型场效应管的工作状态
UGS(off) <0
UGS<UGS(off) :夹断区
UGS>UGS(off) , UGD<UGS(off) :恒流区
UGS>UGS(off) , UGD>UGS(off) :可变电阻区
3
判断MOS管的工作状态
N沟道增强型:
UGS(th) >0
UGS<UGS(th) :夹断区
UGS>UGS(th) , UGD<UGS(th) :恒流区
UGS>UGS(th) , UGD>UGS(th) :可变电阻区
放大电路的组成原则:
(1)要有合适的静态工作点。
增强型场效应管:要有开启电压,|UGS|>|UGSth|
结型场效应管:PN要反向偏置。
(2)输入信号能正常引入,输出信号能够正常输出。
1、电路正常放大的条件
二、场效应管放大电路
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD
1)静态工作点的分析计算。
5
利用场效应管栅极电流为0,得到栅源电压与漏极电流之间关系式。
列出场效应管在恒流区的电流方程。
联立上述两方程,求解UGSQ和IDQ,并推算UDSQ。
注意解算后应使得管子工作在恒流区。
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD
2)动态性能指标的计算:微变等效电路
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出四种状态下的UGS和UDS 的值,判断各状态下的管子工作在什么区。( )
UGS
-1
-2
-2
-6
UDS
3
4
2
10
工作区
可变电阻区条件:
UGD> UGS(off)
恒流区(饱和区)条件:
UGD< UGS(off) 。
夹断区(截止区)条件:
UGS< UGS(off)。
1 .
UGD> UGS(off)
当UGS=-1V, UDS=3V时
UGD =UGS —UDS
=-4V> -5V =UGS(off)
所以,管子工作在可变电阻区。
2.
UGD< UGS(off)
当UGS=-2V, UDS=4V时
UGD = UGS —UDS
=-6V<UGS(off)=-5V
所以,管子工作在恒流区。