文档介绍：模拟电子技术期末复****br/>考试时间:1月9日下午6:40-8:40
考试要求:
半开卷考试,每人可带1张A4纸
请携带:证件、计算器、尺子及橡皮
答疑安排
1月6日(周五)下午:2:30-5:30,中教1444 (郝艾芳老师)
1月9日下午:2:30-5:30,中教1444( 王美玲老师)
放大电路的频响
模拟电子技术知识结构
第1章半导体基础和二极管
一、杂质半导体与PN结;
(P型、N型等基本概念)
二、半导体二极管的主要特性
单向导电性****题1-8)
二极管伏安特性方程
2. 温度敏感特性、电容效应
三、半导体二极管的主要参数
四、半导体二极管的等效模型
第2章双极型晶体管和基本放大电路
一、双极型晶体管的种类、符号:PNP、NPN
二、放大电路的组成原理及正常工作条件
静态工作点Q
交流信号的正常引入与输出
三极管能否正常放大判断
工作状态判断(放大区、截止区与饱和区)<br****题2-4,7)
三、放大电路的分析方法<br****题2-12,14,15,18,24)
静态工作点Q的求解(直流通路):
IBQ、UBEQ、ICQ、UCEQ
2. 动态分析(交流通路)
1)图解法:失真分析、最大不失真输出电压的估算
2)微变等效电路法
电压(源电压)放大倍数、输入电阻及输出电阻的估算
CE:B极输入,C极输出;输出与输入电压反相,具有电压及电流放大作用,输入电阻、输出电阻适中。
静态工作点稳定电路(分压式偏置稳定)
四、晶体管基本放大电路的分析
(三种基本连接方式)
2. CC:B极输入,E极输出;射极输出器(射极跟随器);输出与输入电压同相,放大电流;输入电阻大,输出电阻小。
3. CB:E极输入,C极输出;输出与输入电压同相,放大电压;输入、输出电阻均适中;频率特性好。
第3章场效应晶体管和基本放大电路
一、场效应管
结型、增强型MOS管、耗尽型MOS管;
P沟道,N沟道
2. 各种场效应管的符号、特性曲线,电流控制关系及简单工作原理。
场效应管的符号及特性
76页
结型N沟道
结型P沟道
NMOS增强型
NMOS耗尽型
PMOS增强型
PMOS耗尽型
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