文档介绍：第一部分:基础篇
(该部分共有试题8题,为必答题,每位应聘者按自己对问题的理解去回答,尽可能多回答你所知道的内容。若不清楚就写不清楚)。
1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念)。
 数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。
模拟信号,是指幅度随时间连续变化的信号。例如,人对着话筒讲话,话筒输出的音频电信号就是模拟信号,收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号,也是模拟信号。
数字信号,是指在时间上和幅度上离散取值的信号,例如,电报电码信号,按一下电键,产生一个电信号,而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号,一般叫做电脉冲或脉冲信号,计算机中运行的信号是脉冲信号,但这些脉冲信号均代表着确切的数字,因而又叫做数字信号。在电子技术中,通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号,统称为数字信号。
FPGA是英文Field-Programmable Gate Array的缩写,即现场可编程门阵列,它是在PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。
2、你认为你从事研发工作有哪些特点?
3、基尔霍夫定理的内容是什么?
基尔霍夫电流定律: 流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。
基尔霍夫电压定律: 环路电压的总和为零。<BR> 欧姆定律: 电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。
4、描述你对集成电路设计流程的认识。
模拟集成电路设计的一般过程: 。 ,包括功耗,电流,电压,温度,压摆幅,输入输出特性等参数的仿真。 (Layout) 依据所设计的电路画版图。一般使用Cadence软件。 ,并与前仿真比较,若达不到要求需修改或重新设计版图。。正向设计与反向设计
State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University
自顶向下和自底向上设计
State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University
Top-Down设计
–Top-Down流程在EDA工具支持下逐步成为
IC主要的设计方法
–从确定电路系统的性能指标开始,自系
统级、寄存器传输级、逻辑级直到物理
级逐级细化并逐级验证其功能和性能
State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University
Top-Down设计关键技术
. 需要开发系统级模型及建立模型库,这些行
为模型与实现工艺无关,仅用于系统级和RTL
级模拟。
. 系统级功能验证技术。验证系统功能时不必
考虑电路的实现结构和实现方法,这是对付
设计复杂性日益增加的重要技术,目前系统
disco,Cossap等,
它们的通讯库、滤波器库等都是系统级模型
库成功的例子。
. 逻辑综合--是行为设计自动转换到逻辑结构
设计的重要步骤
5、描述你对集成电路工艺的认识。
把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上,再用适当的工艺进行互连,然后封装在一个管壳内,使整个电路的体积大大缩小,引出线和焊接点的数目也大为减少。集成的设想出现在50年代末和60年代初,是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现的。
电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。
单片集成电路工艺利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形,使元件按需要互连成完整电路,制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路,平面工艺技术也随之得到发展。例如,扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术,如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等;外延生长又采用超高真空分子束外延技术;采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜;互连细线除采用铝