文档介绍：XXX有限公司发布
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硅单晶
企业标准
ICS
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前言
本标准修改采用了Ibis Technology《美国Ibis公司硅单晶产品样本》,其他技术要求执行了GB/T 12962-2005标准。
编写格式按GB/T -2009《标准化工作导则第1部分:标准结构和编写》标准修订。本标准于XXX首次发布。
硅单晶
1 范围
本标准规定了硅单晶的产品术语、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于直拉法制备的硅单晶。产品主要用于制作太阳能电池及其组件。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅锗单晶电阻率测定直流二探针法
GB/T1552 硅锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T12964 硅单晶抛光片
GB/T13387 电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T14140 (所有部分)硅片直径测量方法
GB/T14143 300μm-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
GB/T14844 半导体材料牌号表示方法
Ibis Technology 美国Ibis公司硅单晶产品样本
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
径向电阻率变化
晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点(典型设定点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处)的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。又称径向电阻率剃度。
杂质条纹
晶体生长时,在旋转的固液交界面处发生周期行的温度起伏,引起晶体内杂质分布的周期性变化。在晶体的横截面上,该变化呈同心圆或螺旋状条纹。这些条纹反映了杂质浓度的周期性变化,也使电阻率局部变化。择优腐蚀后,在放大1500倍下观察,条纹是连续的。
重掺杂
半导体材料中掺入的杂质量较多,杂质浓度大于1018cm-3为重掺杂。
4 产品的分类
分类
硅单晶按导电类型分为N型和P型两种类型。
规格
滚圆后的直径分为φ150mm、φ200mm、φ210mm三种规格。
5 技术要求
直径及其允许误差符合表1规定。
表1 硅单晶的直径及其允许偏差 mm
滚圆前
单晶
直径
以双方合同为准
允许偏差
以双方合同为准
滚圆后
单晶
直径
150
200
210
允许偏差
±
±
±
电阻率
电阻率范围和径向电阻率变化符合表2规定。
表2 电阻率范围及其径向电阻率变化
导电类型
掺杂元素
电阻率范围
(Ω·cm)
径向电阻率变化(%)
150mm
200mm