文档介绍：毕业设计(论文)外文翻译
题目:INDUSTRIAL APPLICATION OF PULSED DC BIAS POWER SUPPLIES IN CLOSED FIELD UNBALANCED RON SPUTTER ION PLATING
工业磁控离子电镀的偏置直流脉冲电源控制
作者:K. E. Cooke, J. Hampshire, W. Southall和D. G. Teer
脉冲直流电源是现在通用的从活性介电涂料导电或部分导电溅射的磁控目标。他们各自的优势,尤其是消除电弧放电和提高稳定性都计入当前损益过程。相比较而言,,应用偏置直流脉冲功率离子电镀的工艺较少受到关注。本研究利用经验和一些偏置直流脉冲的工业用品涂装设备、开发工业领域应用偏置直流脉冲电源关闭不平衡的磁控离子电镀外体有影响的涂装工艺的各个阶段,从最初的清洗表面通过接口的和涂料的组成,需要选择适当的脉冲参数。
作者Teer Coatings Limited, West Stone House, Berry Hill Industrial Estate, Droitwich,Worcestershire WR9 9AS, UK (kevin.******@).基于2003年9月17日在霍尔福德大学凿开的“等离子脉冲处理”报告会议,在2004年2月26日获得通过。
关键词:直流偏置脉冲功率,关闭磁场绕组比平衡离子电镀,预清洗喷溅
2004 munications Ltd. Published by Maney for the Institute of Materials, Minerals and Mining.。
介绍
溅射(双应用中频脉冲波形,源磁控溅射)通常被用来减少或消除电弧作用从绝缘沉积目标中形成沉积1,1最近,有益的影响在涂料质量也被报告的沉积导电涂料,如锡。2这个反应的磁控溅射一般不受电弧作用影响。离子镀工艺,一种偏置电压到沉积物的能量控制。以及提供了有效的预防基板受到惰性气体的干扰。3很明显,载体和/或涂料不具有金属导电性能,该方式类似充电和电弧作用会影响偏置基质。5该技术在达到目的是在墙壁要减少电子排放的损失。从而增加产生的电离离子流量。因此离子电流基质密度(ICD)较大。5该操作来源在这个具有特色的做法(低电流)即便是在最初的溅射清洗阶段。6导致了ICD在板上,原子离子对比明显大于关闭领域系统在同等条件下的单个磁控管“(即反映领域磁控管与之相配套的磁性的极性)。
直流偏置脉冲供应宽度的稳定和加载,使他在不同的组件负载作用下必须选择非常有吸力的涂料涂装工艺来快速适应字其数量、大小、形状和构成。脉冲直流偏置成功应用在日常工业CFUBMSIP涂装设备、生产一致的涂料具有良好的支持。
实验
一系列的工业CFUBMSIP涂装设备、电源供应器(脉冲直流),与底具的安排(表1)进行调查,以确定不同基质的影响,即几何模型,脉冲条件电压,频率和脉冲宽度,完全不同的瞬时偏置电流和电压在偏置电流图可以i明显地显示。从指定的值的计算电源后者显然是作为重要的等离子体诊断控制系统设备缺乏商业手段。
脉冲功率储备品的特征为可以变换频率(直流,即,0千赫,最大高达250赫兹或350千赫)和脉冲宽度或逆时(如时间脉冲,% ms)。一般来说,在一部分时间,是指期间脉动电压是否定的,就是在此期间产生溅射。相反,在其余的部分时间,是再次期间电压是正负交替的详细形式远小于理想脉冲的平方。责任因素等于完整的周期处以实际时间。
地具安培,即在最小程度上,直径19毫米的中央杆支持一个或两个下扎的水平刹车器,放置该中心位置之中。摘要为了研究负载的影响,有一个附加的夹具室组成的表面也加入了一个开放的金属筒或是矩形钢板、分布式通常围着柱体和阀瓣(在图1显示)。
典型的等离子离子清洁条件采用脉冲直流高压,也就是说,2400到2500 V的供电在电压控制模式。通常,磁控溅射操作的目标是在当前的控制模式,用弱电流。
表格1 CFUBMSIP设备研究
图1
1 UDP450/1基片装置测试原理图显示了4个屏蔽你的位置
- ,保证抵达磁控目标时去除了大多数污染物,从基底溅射,支持设备或腔壁当最后所得到目标材料在底物的沉积速率仍然远远低于从后者表面的溅射去除速率。这种方法需要机械的方式关闭目标。特俗的材料使用更低的脉冲直流高压条件,即250到260V,但是随着磁控管工作在几个安培电流(同样控制模式)。
实验结果是四大产业系统的管理,夹具和表面区域安排不同的配套基质涂料。脉冲直流电源参数(脉冲频率和脉冲宽度)是使用典型预净化缘边有效范围(高负面的偏置电压、低磁控电流)和金属