文档介绍：第三章场效应晶体管及其放大电路
晶体管是一种电流控制型器件,晶体管放大电路工作时,需要由信号源给晶体管提供一定的输入电流,所以,晶体管的输入电阻较低。
场效应晶体管是电压控制型器件,它利用电压改变电场的强弱来控制管子的导电能力,其控制端电流几乎为零,因而具有很高的输入电阻。
因为场效应晶体管工作时基本上只有一种载流子参与导电,所以也称为单极型晶体管,而晶体管工作时两种载流子均参与导电,所以也称为双极型晶体管。
场效应晶体管还具有热稳定性好、噪声低、抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成等优点,因此在电子电路中得到了广泛的应用。
第一节场效应晶体管
场效应管的分类
根据结构和工作原理的不同,场效应管可分为两大类:
结型场效应管
N沟道:耗尽型
P沟道:耗尽型
绝缘栅型场效应管
N沟道:增强型和耗尽型
P沟道:增强型和耗尽型
一、增强型绝缘栅场效应晶体管的结构及工作原理
增强型MOS管的结构示意图与符号
a) 结构 b) 增强型N沟道MOS管符号 c) 增强型P沟道MOS管符号
二氧化硅(SiO2)绝缘层
源极
栅极
漏极
工作原理
UGS对ID及沟道的控制作用:栅源极电压UGS=0时,管子的漏极和源极之间没有导电通道,极间等效电阻很高,漏极电流ID近似为零。 UGS足够大时,由于静电场作用,管子的漏极和源极之间将产生一个导电通道(称为沟道),极间等效电阻较小,在UDS作用下,可以形成一定的漏极电流ID。
增强MOS管电路
特性曲线
N沟道增强型MOS管特性
a)转移特性 b)输出特性
开启电压
可变电阻区
恒流区
击穿区
夹断区(截止区)
二、耗尽型绝缘栅场效应管的结构及特性
耗尽型MOS管的结构示意图与符号
a) 结构 b) 耗尽型N沟道MOS管符号 c) 耗尽型P沟道MOS管符号
N沟道耗尽型管的特性
a)转移特性 b)输出特性
增强型
NMOS
增强型
PMOS
耗尽型
NMOS
耗尽型
PMOS
三、结型场效应晶体管的特性
结型场效应管的图形符号
a)N沟道 b)P沟道