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SOI基PZT薄膜的结构及特性研究的中期报告.docx

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SOI基PZT薄膜的结构及特性研究的中期报告.docx

上传人:niuwk 2024/3/27 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【SOI基PZT薄膜的结构及特性研究的中期报告 】是由【niuwk】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【SOI基PZT薄膜的结构及特性研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。SOI基PZT薄膜的结构及特性研究的中期报告此为机器翻译,仅供参考。中期报告:研究背景压电材料具有在电场作用下发生变形的特性,因此在智能传感、微机电系统(MEMS)以及定位、控制等应用中有广泛的应用。然而,传统的压电陶瓷材料,如PZT,存在许多限制,如脆性、难以制备复杂结构,以及与硅基材料的兼容性等问题。因此,研究压电薄膜材料的制备和性能具有重要的意义。研究目标本研究旨在在SOI基片上制备PZT薄膜,并研究其结构和特性,包括晶体结构、压电性能和与硅基材料的兼容性。同时,研究制备工艺对PZT薄膜性能的影响。研究方法利用RF磁控溅射技术,在SOI基片上制备PZT薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品进行结构分析。使用压电测试系统测量压电特性,并通过原子力显微镜(AFM)评估表面质量和平整度。最后,通过分析热载荷测试结果,评估PZT薄膜与硅基材料的兼容性。研究进展SOI基片上的PZT薄膜已成功制备。通过SEM和XRD发现,在制备过程中,PZT薄膜表面晶粒尺寸逐渐增大,晶格结构也逐渐转化为更高的晶相。通过AFM评估,发现PZT薄膜表面平整度和表面质量较好。压电测试结果表明,PZT薄膜在外电场下的变形较大,表现出良好的压电性能。研究展望下一步,我们将进一步研究制备工艺对PZT薄膜性能的影响。同时,我们将继续研究PZT薄膜与硅基材料的兼容性,以期实现压电薄膜在硅基MEMS应用中的实际应用。