文档介绍：北京工业大学硕士学位论文罶￡△Ⅸ墅兰遇昀鸬㏎墅壁英文并列题目丛贳印黝吕糞丛丞要珐挝整堂‘研究方向..一一功能挝越三金邀熬援王亦曼直王研究生姓名::职称:业:导分类号:单位代码:学号:密级:公开生垒且炅⒐ば┨塞直塑堕匡垩巫圄~.论文报告提交日期学位授予日期授予单位名称和地址.■一
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原创性声明。\\㈣㈣导师签名:签名:塑孟垒签名:丝垒垒日期:垡受墨竺目日期:丝垒生蛊正关于论文使用授权的说明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得北京工业大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。本人完全了解北京工业大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留送交论文的复印件,允许论文被查阅和借阅;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。C艿穆畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑
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面姜时的偏离点电流‰,跫诩せ盍己檬保琟痗掂捅含钪阴极以其低温大电流密度发射的优势,被誉为“下一代热阴极的主要代表”,在高功率高频率真空电子器件领域具有十分广泛的应用前景。但钪阴极发射机理尚没有给出确切解释,非正常肖特基效应为代表的特殊发射性质的原因尚不明确。本论文在氧化钪掺杂扩散阴极的电流发射特性基础上,对钪阴极发射机理及异常肖特基效应成因进行探讨。采用平行板二极管法测试了钪钨阴极的发射性能,结果显示阴极在鎎曲线的膝点温度约,当黾右槐妒保呒涓粼嘉鎎。跫实际逸出功分布峰值随电流密度增加向逸出功减小的方向移动。分别采用单原子层模型、半导体模型、氲继迥P透髯钥悸与不考虑肖特基效应悸切ぬ鼗вσ馕蹲偶尤胪獾绯〉挠跋熳饔进行理论呒扑恪=峁允荆诟骼嗄P椭校悸切ぬ鼗вΦ腤氲继模型的撸盝增加一倍时,曲线间隔约为胧挡饨峁接近。利用⑸浞匠讨匦陆猩鲜瞿P偷睦砺跰曲线计算,空间电荷区发射密度由狶删龆ǎ⑸涞缌髅芏扔胛露任薰兀扔外加电压的次方;温度限制区电流则根据上述三种模型的发射方程决定。计算结果表明,仍是考虑肖特基效应的半导体模型,与实测结果最接近,其为阴极发射不饱和和叨捞匦灾实某梢颉发现激活良好的阴极表面存在纳米小粒子。利用模拟阴极表面小粒子附近区域的电场,计算结果显示阴极表面纳米粒子增强其表面局域电场,从而增强了局部电流发射密度,,对阴极发射影响做初步分析研究。结果显示—猈层的逸出功,以的含量为自变量,首先随着的覆盖率上升而逐渐降低,在达到最佳比例后上升,最后,趋近于一个稳定值。—,与文献报道的实验值是相吻合。关键词热电子发射机理;含钪扩散阴极;纳米粒子;逸出功摘要
北京工业大学工学硕士学位论文..
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