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铝掺杂氧化锌多晶薄膜及其应用于薄膜晶体管的制备与研究的中期报告.docx

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铝掺杂氧化锌多晶薄膜及其应用于薄膜晶体管的制备与研究的中期报告.docx

上传人:niuwk 2024/4/21 文件大小:10 KB

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铝掺杂氧化锌多晶薄膜及其应用于薄膜晶体管的制备与研究的中期报告.docx

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文档介绍:该【铝掺杂氧化锌多晶薄膜及其应用于薄膜晶体管的制备与研究的中期报告 】是由【niuwk】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【铝掺杂氧化锌多晶薄膜及其应用于薄膜晶体管的制备与研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。铝掺杂氧化锌多晶薄膜及其应用于薄膜晶体管的制备与研究的中期报告该研究是关于铝掺杂氧化锌(Al-dopedZnO,AZO)多晶薄膜应用于薄膜晶体管(TFT)制备的中期报告。以下为报告的简要摘要:,广泛应用于平板显示器、太阳能电池等领域。目前,氧化铟锡(ITO)是TFT制备中最常用的透明导电膜材料。但是,ITO具有成本高、稀土元素含量高、可用性受限等缺点,因此已经成为制备TFT的瓶颈之一。AZO作为一种新型的透明导电膜材料,具有低成本、可见光透过率高、导电性好等优点,因此被认为是ITO的潜在替代品。本研究旨在制备AZO多晶薄膜,并研究其在TFT制备中的应用。(RFsputtering)技术制备AZO多晶薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等手段对其进行表征。同时,还利用AZO多晶薄膜制备TFT,并对其电学性能进行测试。,通过优化射频功率、沉积时间、沉积速率等工艺参数,可以制备出优质的AZO多晶薄膜。该薄膜具有良好的晶体结构、紧密的晶格排列、较高的可见光透过率和优良的导电性能。此外,通过AZO多晶薄膜制备的TFT也具有良好的电学性能,包括较高的场效应迁移率和较低的门电压偏移值。,并对其在不同应用领域中的应用进行深入研究。此外,还需探究AZO多晶薄膜在低温制备TFT中的应用潜力,以期实现低成本、高性能的TFT制备。