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硅基共面波导RFMEMS开关设计关键技术研究中期报告.docx

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硅基共面波导RFMEMS开关设计关键技术研究中期报告.docx

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文档介绍:该【硅基共面波导RFMEMS开关设计关键技术研究中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【硅基共面波导RFMEMS开关设计关键技术研究中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。硅基共面波导RFMEMS开关设计关键技术研究中期报告一、研究背景及意义随着通信技术的不断发展和智能手机等移动设备的普及,频带资源越来越紧缺。因此,设计高性能射频微波开关成为了提高通信系统收发器性能和频带利用率的重要手段。RFMEMS(射频微机电系统)技术是一种新兴的微纳米技术,基于微机电系统和射频电路的集成,具有高性能、小尺寸、低功耗、低损耗等优点,被广泛应用于射频微波开关、滤波器、天线等领域。硅基共面波导(SiCPW)作为一种主流的射频微波传输线,形状简单,制造工艺成熟,常用于设计射频微波开关。其特点是传输性能稳定,损耗低,能够实现高度集成。因此,本研究旨在开展硅基共面波导RFMEMS开关的设计与制造,探究硅基共面波导RFMEMS开关的关键技术,为开发高性能射频微波开关提供理论基础和技术支撑。二、,包括传输性能、制造工艺等,学****CPW开关的设计原理和常用的制造工艺。预计耗时1周。,从而有利于了解硅基共面波导RFMEMS开关的工作原理并领悟其技术特点。预计耗时2周。,从理论上分析RFMEMS开关的性能指标,并优化开关结构,提高开关性能。预计耗时3周。,采用光刻、真空蒸镀等制造工艺制作样品。预计耗时4周。,包括开关状态、开关损耗等参数的测试。预计耗时2周。,与理论模拟结果进行对比,从而验证设计的正确性,找出可能存在的问题并进行改进。预计耗时2周。,整理研究成果。预计耗时2周。三、研究进展本研究目前已完成第1、2、3个阶段的工作计划,即掌握硅基共面波导和RFMEMS技术、设计硅基共面波导RFMEMS开关等。正在进行第4个阶段的工作计划,即制备RFMEMS开关样品,并计划在下一阶段进行性能测试。预计年底前完成本研究的全部工作。