文档介绍：电力电子技术
Power Electronics
图2-29 功率MOSFET的开关过程波形
功率MOSFET特性及主要参数
目录
晶闸管
可关断晶闸管(GTO)
电力晶体管
功率场效应晶体管
绝缘栅双极型晶体管
* 其它新型电力电子器件
电力电子器件的发展趋势
电力电子器件应用共性问题
小结
MOSFET的等效结电容
CGS有充电过程,栅极电压uGS呈指数曲线上升
极间电容:CGS、CGD和CDS
功率MOSFET特性及主要参数
目录
晶闸管
可关断晶闸管(GTO)
电力晶体管
功率场效应晶体管
绝缘栅双极型晶体管
* 其它新型电力电子器件
电力电子器件的发展趋势
电力电子器件应用共性问题
小结
在截止区和饱和区等效电路
在正向电阻区等效电路
当uGS上升到开启电压UT时,开始出现漏极电流iD。
开通延迟时间td(on):从驱动脉冲电压前沿时刻到iD的数值达到稳态电流的10%的时间段。
电流上升时间tri :从uGS上升到开启电压UT,到漏极电流iD的数值达到稳态电流的90%的时间段。此时uGS的数值为功率MOSFET进入正向电阻区的栅压UGSP。
功率MOSFET特性及主要参数
目录
晶闸管
可关断晶闸管(GTO)
电力晶体管
功率场效应晶体管
绝缘栅双极型晶体管
* 其它新型电力电子器件
电力电子器件的发展趋势
电力电子器件应用共性问题
小结
开通过程
10%iD
90%iD
当uGS上升到UGSP时,功率MOSFET的漏、源极电压uDS开始下降,受栅、漏电容CGD的影响,uGS增长缓慢,波形上出现一个平台期,当uDS下降到导通压降,功率MOSFET进入到稳态导通状态,这一时间段为电压下降时间tfv。
此后uGS继续升高直至达到稳态。
功率MOSFET 的开通时间ton
ton=td(on)+tri+tfv。
功率MOSFET特性及主要参数
目录
晶闸管
可关断晶闸管(GTO)
电力晶体管
功率场效应晶体管
绝缘栅双极型晶体管
* 其它新型电力电子器件
电力电子器件的发展趋势
电力电子器件应用共性问题
小结
uGS波形
目录
晶闸管
可关断晶闸管(GTO)
电力晶体管
功率场效应晶体管
绝缘栅双极型晶体管
* 其它新型电力电子器件
电力电子器件的发展趋势
电力电子器件应用共性问题
小结
当驱动脉冲电压下降到零时,栅源极输入电容Cin通过栅极电阻放电,栅极电压uGS按指数曲线下降,当下降到UGSP时,功率MOSFET的漏、源极电压uDS开始上升,这段时间称为关断延迟时间td(off)。
此时栅、漏电容CGD放电,uGS波形上出现一个平台。当uDS上升到输入电压时,iD开始减小,这段时间称为电压上升时间trv。
此后Cin继续放电,uGS从UGSP继续下降,iD减小,到uGS<UT时沟道消失,iD下降到稳态电流的10%,这段时间称为电流下降时间tfi。