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过程中,不可避免地要遇到不同类别的器件间相互连接问题。当各器件的逻辑电平互不一致,不能正确接受和传递信息时,要使用接口电路。这里主要介绍两类接口。:..lCMOS集成电路驱动其它器件。-,,因而一般都得加一个接口电路。这里介绍一种采用单电源的接口电路。在附图1中,门II起接口电路的作用,是CMOS集成电路缓冲/电平变换器,起缓冲驱动或逻辑电平变换的作用,具有较强的吸收电流的能力,可直接驱动TTL集成电路,因而连接简便。但是,使用时需要注意相位问题。4049是六反相缓冲/变换器,而CC4050是六同相缓冲/变换器。-HTL集成电路的接口HTL集成电路是标准的工业集成电路,具有较高的抗干扰性能由于CMOS集成电路的工作电压很宽,因而可与HTL集成电路共用+15V电源。此时,两者之间的VOH、VOL及IIH、IIL均互相满足,不必另设接口电路,直接相连即可,连接电路见附图2。:..图成电路接2CMOS-ETL^-ECL集成电路的接口ECL集成电路是一种非饱和型的数字逻辑电路。其工作速度居所有逻辑电路之首。ECL采用负电源供电。CMOS集成电路驱动ECL集成电路可使用单电源工作,如附图3所示。ECL集成电路加-,CMOS的VDD接地,VSS接至-。以ECL集成电路CE10102为例,(CE10102内部包括4个2输入或非门),流入ECL的输入高电平电流IIH为265uA,输入高电平电压VIH为-,在单电源下CMOS电路可以满足ECL集成电路的输入需要。-NMOS集成电路的接口NMOS集成电路是N沟道MOS电路,NMOS集成电路的输入阻抗很高,基本上不需要吸收电流,因此,CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电,并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源,就可与NMOS集成电路直接连接。不过,从NMOS到CMOS直接连接时,由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平,因而需要使用一个(电位)上拉电阻R,如图4所示,R的取值一般选用2~100K。:..5-12VinwosCMOS图CMOS-MOS^-PMOS集成电路的接口PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式,一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。-工业控制电路的接口工业控制电路是工业控制系统中常用的电路,多采用24V工作电压。图6示出了CMOS电路与工业控制电路的连接方法。图中R1是晶体三极管VT的基极偏流电阻,VT的作用是把CMOS电路较低的逻辑高电平拉到24V,使两者构成良好的连接。:..24V10-15VRL33KQVIVDDCMOS图工业控制电路的接口?-晶体三极管VT的接口图7a是CMOS集成电路驱动晶体三极管的接口。晶体三极管VT采用共发射极形式连接R1是VT的负载电阻,R1是VT的基极偏流电阻,R1的大小由公式R1=(VOH-VBH)/IL决定。式中IL为负载电流。使用时应先根据VL和IL来选定VC,然后p估算IB(IB=IL/)是否在CMOS集成电路的驱动能力之内。如超出,可换用值更pp高的晶体三极管或达林顿管,如图7b所示。晶体三极管VT按IL选定,IB=IL/(i*p卩2),电阻R1的取值为:R1=(VOH-)/(IB+),式中R2是为改善电路的开关特性而引入的,其值一般取为412316;10K。&#-发光二极管LED的接口发光二极管(LED)具有高可靠性、低功耗、长寿命等多项重要特性。是与CMOS集成电路配合使用的最佳终端显示器件之一。发光效率较高的LED可由CMOS集成电路直接驱动,特别当VDD=10~18V时,绝大多数的LED能够有足够的亮度。应当说明,用CMOS集成电路驱动LED应串入限流电阻,因为当VDD=10V时,其输出短路电流可达20mA左右,若不加适当的限流保护,极易导致LED或CMOS集成电路损坏。图8a是CMOS集成:..电路输出低电平点亮LED的电路,电阻R可通过公式:R=(VDD-VOL-VLED)/ILED求出。图8b是CMOS集成电路输出高电平点亮LED的电路,电阻R的数值通过公式:R=(VOH-VLED)/ILED求出。式中VLED和分别是LED的工作电压和工作电流。如果在低电源电压下工作的CMOS集成电路要驱动LED,或者使用负载能力较差的COOO系列CMOS集成电路驱动LED,均可能难以使LED发出足够明亮的光。解决办法是加一级晶体管驱动电路,以获得足够的驱动能力。-可控硅VS的接口一般中、小功率可控硅的触发电流约在10mA以下,故多数CMOS集成电路能够直接驱动可控硅。具体电路如图9所示。若需要更大的驱动电流,可改为CMOS缓冲器(4041)或缓冲/驱动器(40107),也可加一级晶体三极管电路。VDDVssCMOS團CMOS-可控硅qvs的接口l其它器件驱动CMOS集成电路。:..-CMOS集成电路的接口利用集电极开路的TTL门电路可以方便灵活地实现TTL与CMOS集成电路的连接,其电路如图1所示。图1中的RL是TTL集电极开路门的负载电阻,一般取值为几百到几M。RL取较大值便于减小集电极开路门的功Q耗,但在一定程度上影响电路的工作速度。一般情况下,RL可取值4712316;220K;&#Q中速、高速工作场合取20K以下较为合适。-CMOS集成电路的接口ECL集成电路驱动CMOS集成电路的连接方法如图2所示。它利用MC1024(ECL)的输出去驱动晶体三极管VT,再由VT去驱动CMOS集成电路。当MC1024的两个输入端都是-8V时,VT截止;若两个输入中的一个为-,,既可驱动晶体管VT。-CMOS集成电路的接口图3所示接口电路,是利用分压电阻R1、R2将24V工业控制电路与CMOS集成电:..路连接。滤波电容C提高了CMOS集成电路的抗干扰能力,两个箝位二极管VD1、VD2用来保证输入信号被控制在VDD和VSS之间。5-15VnTR2-rCSVD2團3工业控制电Eg-CMOS集成电路接口欢迎您的下载,资料仅供参考!致力为企业和个人提供合同协议,策划案计划书,学****资料等等打造全网一站式需求