文档介绍：该【场效应器件物理1-4频率5CMOS 】是由【相惜】上传分享，文档一共【51】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【场效应器件物理1-4频率5CMOS 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。 *1编辑ppt*、,利用电路仿真软件对电路进行仿真验证。常用的电路仿真软件如HSPICE、PSPICE、SPECTRE仿真:围绕器件建立电路的IV关系,是一数学求解的过程。电路中元器件要用模型和模型参数来替代真正的器件。模型:反映器件特性,可采用数学表达式、等效电路等形式。常用模型:等效电路模型。模型参数:描述等效电路中各元件值所用的参数。等效电路模型建立方法:首先通过器件物理分析确定器件等效电路模型的具体形式,再把元器件看成一个“黑箱〞,测量其端点的电学特性,提取出描述该器件特性的模型参数。得到一等效电路模型代替相应器件。:交流小信号参数源极串联电阻栅源交叠电容漏极串联电阻栅漏交叠电容漏-〔VBS=0〕:VBS影响共源n沟MOSFET小信号等效电路〔VBS<0〕:描述等效电路中各元件值所用的参数。与IDS相关的模型参数:W,L,KP(ucox),LAMBDA与VT相关的模型参数:VT0,GAMMA,PHI与栅相关的三个电容参数:CGD,CGS,::随着沟长的缩短,短沟窄沟效应凸现,IV公式和阈值电压公式都需修正,模型的开展级别特别多,模型也越来越复杂。?LEVEL1–最简单,适合长沟道器件,均匀掺杂的预分析?LEVEL2–含详细的器件物理二级模型,但公式复杂,模拟效率低,小尺寸管符合不好。?LEVEL3–经验模型,公式简单。模拟效率高,精度同LEVEL2。小尺寸管精度不高。?BSIM1〔BerklyShort-channelIGETModelLEVEL13,28〕–经验模型,记入电参数对几何尺寸的依赖性。长沟道管〔1um以上的器件〕精度高。:?BSIM2〔LEVEL39〕–与BSIM1形式根本相同–改进电流公式,L=。–在几何尺寸范围大时,必须分成几个几何尺寸范围,对应几套模型参数,每套参数适用于一个窄范围。?BSIM3〔LEVEL47、49〕–基于物理模型,而不是经验公式。–在保持物理模型的根底上改进精度和计算效率,适用于不同的尺寸范围。–尽可能减少器件模型参数〔BSIM260个,BSIM333个〕–注意不同工作区域的连续性,以使电路模拟时收敛性好。–*基于MOS器件的准二维分析〔记入几何和工艺参数〕电路设计用到的器件模型、模型参数由晶圆制造厂提供,是工艺厂家根据制备的器件提取。生产工艺线不同、晶圆制造厂不同,器件模型那么不同Date10编辑ppt