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(通常是钨,称为钨塞)填充,钨塞放置在适当的位置,以形成金属层间的电学通路()。:..(金属1)互连的形成以下一系列操作包括在硅表面淀积三层金属薄膜,称为三明治结构,随后是遮蔽和刻蚀步骤()。多层的三明治金属结构由多种不同的难熔金属构成,包括钛、铝铜合金和氮化钛。完成上述操作以后,就完成了构成器件的五层金属叠加结构中的第一层。金属层的数目随着管芯复杂程度的不同有所变化,目前最先进的管芯有八层金属叠加结构。(ILD-2)和其上的通孔()。除了要填充第一层金属上刻蚀出的或大或小的间隙,第二层层间介质的制作与第一层层间介质(ILD-1)的制作非常相似。间隙的填充使用介电材料,这些材料能够进入细小的空间从而避免了能够影响电学性能的空洞和其他缺陷的形成。有两种常见的方法填充间隙:旋涂玻璃(SOG)反刻和高浓:..度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)。间隙填满以后,可利用等离子体优化的化学气相淀积系统完成剩余的ILD-2氧化物的淀积。ILD-2淀积完成后,氧化物被平坦化、刻印,然后刻蚀形成钨塞所需的通孔。(金属2)互连的形成:..(金属3)直到制作压点和合金重复工艺制作第三层和第四层金属后,完成第四层金属的刻蚀,紧接着利用薄膜工艺淀积第五层层间介质氧化物(ILD-5)()。,所以这一层介质不需要进行化学机械抛光。刻蚀ILD-5使得在第五层金属的淀积过程中,通孔能够被金属填充。第五层金属淀积的厚度比先前的金属三明治结构厚一些。刻蚀第五层金属,在必要的地方形成压焊点,在不需要的地方将金属除去。:..工艺的最后一步包括再次生长二氧化硅层(第六层层间介质)以及随后生长顶层氮化硅。这一层氮化硅称为钝化层。它的目的是保护产品免受潮气、划伤以及沾污的影响。最后,在扩散炉中进行低温合金步骤。这一步加热过程有助于提高互连金属间的冶金接触,从而提高器件的电学性能和可靠性。在这一步合金操作中必须特别小心以免产品过加热,这可能引起永久性的结构缺陷。:第一次测试在首层金属刻蚀完成后进行,第二次是在完成芯片制造的最后一步工艺后进行。金属刻蚀完成以后,利用电学测试设备的微型探针仪测试硅片上特定器件测试结构的特定电学参数。这种在线参数测量的程序称为硅片电学测试(中测)或WET。对硅片的最后一步操作是芯片厂外进行的硅片测试/拣选。利用电学测试/拣选设备自动进行探查和测试。检测硅片上每一个管芯的电学功能。通过软件利用正交坐标系将失效的管芯标出,这就保证了在后续操作当中能够将好管芯和坏管芯分辨出来。这些数据用来计算管芯的成品率。此后,硅片能够被运往装配部门。如果硅片通过了硅片拣选,硅片被送入背面减薄部门。在这里,用设备减薄硅片的背面。这一步工艺使得硅片更薄,使分割独立管芯的划片过程更容易。