文档介绍：产生EMC问题主要通过两个途径:一个是空间电磁波干扰的形式;另一个是通过传导的形式,换句话说,产生EMC问题的三个要素是:电磁干扰源、耦合途径、敏感设备。
                                传导、辐射7nO1p Rh$z
骚扰源-----------------------------(途径)------------------------------ 敏感受体
MOS的并联使用原则:
,最好是同一批次的。
,不可共用驱动电阻和放电电阻。
,减小电流分布不均
光耦一般会有两个用途:线性光耦和逻辑光耦,如果理解?
工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通,管压降<,(Vcc-),Vout 大小影响。此时Ic<If*CTR,此工作状态用于传递逻辑开关信号。工作在线性状态的光耦,Ic=If*CTR,-Ic*RL,Vout= Ic*RL=(Vin-)/Ri * CTR*RL,Vout 大小直接与Vin 成比例,一般用于反馈环路里面( 是粗略估计,实际要按器件资料,) 。
2 光耦CTR
概要:
1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析;
2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR 有一定余量;
3)CTR受多个因素影响。
光耦能否可靠导通实际计算
举例分析,,假设 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%,,副边三极管饱和导通压降Vce=。输入信号Vi 是5V的方波,
。Vout 的方波吗?
我们来算算:If = (Vi-)/Ri =
副边的电流限制:Ic’≤ CTR*If =
假设副边要饱和导通,那么需要Ic’= ( – )/1k = ,大于电流通道限制,所以导通时,, Vout = Ro* =
的方波。
的方波, 光耦电路的电流驱动能力小, 的电流,。
解决措施:增大If;增大CTR;减小Ic。对应措施为:减小Ri 阻值;更换大CTR 光耦;增大Ro 阻值。
将上述参数稍加优化,假设增大Ri 到200欧姆,其他一切条件都不变,?
重新计算:If = (Vi – )/Ri = 17mA;副边电流限制Ic’≤ CTR*If = ,远大于副边饱和导通需要的电流(),所以实际Ic = 。
所以,更改Ri 后,Vout 的方波。
开关状态的光耦,实际计算时,一般将电路能正常工作需要的最大Ic 与原边能提供的最小If 之间Ic/If 的比值与光耦的CTR 参数做比较,如果Ic/If ≤CTR,说明光耦能可靠
导通。一般会预留一点余量(建议小于CTR 的90%)。
工