文档介绍：××××-××-××实施
××××-××-××发布
发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会
太阳能电池用硅单晶切割片
Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells
(报批稿)
GB/T××××-2010
Q/T GDZ 001-200
中华人民共和国国家标准
ICS
H 80
前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、江西赛维LDK太阳能有限公司、杭州海纳半导体有限公司。
本标准主要起草人:楼春兰、郑辉、蒋建国、张群社、孙世龙、黄笑容、王飞尧、段育红、朱兴萍、方强、汪贵发、余俊军、袁文强、金虹。
太阳能电池用硅单晶切割片
范围
本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片(简称硅片)的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与合同(或订货单)内容。
本标准适用于直拉法(CZ/MCZ)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。
规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 14140 硅片直径测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T ×××× 太阳电池用硅单晶
GB/T ×××× 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
术语
GB/T 14264确立的下列术语和定义适用于本标准。
线痕 Saw marks
在线切割过程中产生于硅片表面的切割痕迹。
要求
硅片按导电类型分为p型、n型两种类型;按外形可分为准方形和圆形两种。
准方形硅片按其边长分为□125mm×125mm、□156mm×156mm,或由供需双方商定规格。
圆形硅片按直径或对角线长度尺寸分为F150mm、F156mm、F165mm和F200mm。
技术参数
硅片厚度、厚度偏差等几何尺寸参数应符合表1的规定,如用户有特殊要求时,由供需双方商定。
表1 硅片厚