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半导体光电子器件
1409-91、11、12、班
---06--
2
“Complete Guide to
Semiconductor Device”
指出：
半导体器件有67种，110余变种。
概 述
构结本基
基本结构
漂移-扩散
电子器件
半导体器件基本类型
pn结
MIS
M-S
异质结
组合
光电子器件
电子-光子
互作用物理过程
理论基础
理论基础
课程主要内容
4
CH1 半导体光电子器件物理基础
CH2 半导体太阳电池（Solar Cells）
CH3 半导体光电探测器（Photodetectors）
CH4 半导体电荷耦合器件（CCD）
CH5 半导体发光二极管（LED）
CH6 半导体激光器（LD）
3
2
1
4
5
6
层 次
基本结构与原理 主要概念与性能
理论基础与机理 性能提升与措施
重点理解与掌握
基本物理概念 基本物理过程 基本物理图像
Ch1 半导体光电子器件物理基础
6
pn结
MIS结构
金属与半导体接触
异质结与量子阱
半导体光吸收与光辐射
平板介质光波导基本理论
基本物理属性 基本电学特性
1-1 pn结（同质）
7
载流子输运过程
I-V特性
势垒电容与扩散电容
击穿机制及机理
二、基本电学特性
一、基本物理属性
基本类型
空间电荷区与自建电场
能带结构（平衡与非平衡）
载流子分布（平衡与非平衡）
空间电荷区形成物理过程及属性
8
能带结构及载流子分布
9
P区
n区
pp0
pn0
nn0
np0
pn0exp(qVF/kT)
np0exp(qVF/kT)
P区
n区
pp0
pn0
nn0
np0
pn0exp(qVR/kT)
np0exp(qVR/kT)
正 偏：
反 偏：