文档介绍：拉曼光谱仪(Renishaw inVia)检定规程
光谱稳定性与重复性repeatability, (重复性是考验仪器的最重要指标之一, 此检测条件与仪器设计无关)
重复性:光栅动。每次检测,光栅从0波数到最大波数移动,再回到检测位置(0波数)。使用表面抛光的单晶硅,扫描范围:100 ~ 4500 cm-1,(不能采用光栅先回到-4000cm-1,再定位到0波数扫描的方式),重复不少于30次。观测硅一阶峰中心位置重复性好于<= ± ?cm-1 。

稳定性:光栅不动,(此试验较为容易),使用表面抛光的单晶硅,扫描范围:100 ~ 1000,重复不少于30次,观测硅一阶峰中心位置重复性好于<= ± ?cm-1 。
仪器灵敏度:Sensitivity :
一般性实验条件:
检测硅三阶峰,(信噪比越高越好)
检测条件为:激光输出功率约为20mw,波长514nm 或532nm ,
狭缝宽度50微米, 曝光时间60秒,累加次数5次,(或曝光时间100秒,累加次数3次,)
光栅刻线为大于等于1800刻线。binning = 1,显微镜头为 X50 或 X100。
高分辨或共焦实验条件:
检测硅三阶峰(信噪比越高越好)
检测条件为:激光输出功率约为20mw,波长514nm 或532nm,
狭缝宽度( Renishaw <= 20微米); 曝光时间60秒,累加次数5次,(或曝光时间100秒,累加次数3次,)
光栅为大于等于1800刻线。binning = 1,显微镜头为 X50 或 X100。
空间分辨率: Spatial resolution
横向 XY,样品为硅片锐利边缘。
纵向Z,样品为硅片。
检验标准:使用表面抛光的单晶硅做样品,采用100×物镜,垂直硅片断裂边做线Mapping,,记录硅520拉曼信号强度在扫描经过硅片边界过程的变化曲线,强度从最弱到最强变化经过的空间距离的一半为横向空间分辨率;
对硅片表面进行深度序列扫描,扫描范围从表面以上10um到便面以下10um,步长为1um,记录硅520拉曼信号的强度变化,强度变化曲线的半高全宽(FWHM)为纵向空间分辨率。
阻挡激光水平: Laser blocking : (514nm, or 532nm, and 633nm, 785nm)
使用表面抛光的单晶硅做样品,同时观测激光线(以上各个波长)和硅一阶峰(520cm-1,该峰拉曼强度>