文档介绍：该【GaAs(100)面硫钝化的HREELS与XPS研究 】是由【niuww】上传分享，文档一共【2】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【GaAs(100)面硫钝化的HREELS与XPS研究 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。GaAs(100)面硫钝化的HREELS与XPS研究
研究GaAs(100)面硫钝化的HREELS与XPS
引言：
氢化硫化物钝化是一种增强半导体表面防腐蚀和限制电子仪器中过快氧化过程的方法。该方法在GaAs半导体器件生产中有着广泛运用。该文章将探讨采用高分辨率电子激发光电子能谱(XPS)和高分辨率电子能量损失光谱(HREELS)技术研究GaAs（100）表面的硫钝化过程。
实验方法：
实验在超高真空条件下，使用分子束外延法在GaAs（100）表面上生长硫化钠（Na2S）薄膜，并采用HREELS和XPS测量表面的化学组成和电子结构。
实验结果：
XPS 分析
在GaAs表面硫钝化后，XPS谱图显示硫化后表面采用S2p3/2谱峰较为明显，证明硫化反应已经成功。S2p3/~ eV范围内，符合硫离子的能量范围。XPS谱图显示掺硫GaAs（100）表面含有硫化的铵离子和碱金属离子，以及表面的氧化物。S 2p弱的氧化物峰可以说明GaAs基底上的二氧化硫在硫化过程中被完全去除。
HREELS 分析
HREELS谱图中可以看出，再次证明了表面硫钝化反应发生。 meV，证明成功将S元素加入到GaAs（100）表面水平。
此外，± nm。
结论：
本文采用XPS和HREELS技术研究了GaAs表面硫化钠的钝化作用，结果表明GaAs的硫钝化反应是成功的。这些技术为今后研究化学和电子学特性的表面清洁提供了重要的信息。
但研究还不能直接应用于实际的电子器件之中，还需要更细致的分析，通过结合实际器件的制备和性能测试等来更好地评估GaAs硫钝化技术在半导体器件制造中的应用潜力。