文档介绍：LED的生产工艺流程及设备
黄健全

主要内容
LED生产工艺流程;
LED衬底材料制作;
LED外延制作;
Led生产工艺流程
1、所用硅衬底在放入反应室前进行清洗。先用H2SO4∶H2O2 (3∶1) 溶液煮10min 左右,再用2%HF溶液腐蚀5min 左右,接着用去离子水清洗,然后用N2吹干。
2、衬底进入反应室后在H2气氛中于高温进行处理,以去除硅衬底表面氧化物。
3、然后温度降至800℃左右,生长厚约100埃的AlN缓冲层。
4、接着把温度升至1050℃生长200nm 偏离化学计量比(富镓生长条件)的GaN高温缓冲层。
5、。
6、接着生长2μm厚掺Si的n型GaN,接下来在740℃生长5个周期的InGaN多量子阱有源层。
7、以及在990 ℃生长200nm 的p 型GaN。
Led生产工艺流程
8、生长结束后, 样品置于N2中于760℃进行退火,
9、然后再对样品进行光刻和ICP刻蚀。Ni/Au和Ti/Al/ Ni/ Au分别用作p型GaN和n型GaN 的欧姆接触电极。
LED生产工艺流程
LED透明电极
LED生产工艺流程
蓝宝石衬底LED(正装、倒装)
LED生产工艺流程
蓝宝石衬底紫外LED
LED生产工艺流程
蓝宝石衬底白光LED
LED生产工艺流程
所举例子只是一种LED制作工艺,不同的厂家都有自己独到的一套制作工艺,各厂家所使用的设备都可能不一样,各道工序的作业方式、化学配方等也不一样,甚至不同的厂家其各道制作工序都有可能是互相颠倒的。
但是万变不离其宗,其主要的思想都是一样的:外延片的生长(PN结的形成)---电极的制作(有金电极,铝电极,并形成欧姆接触)---封装。
LED衬底材料制作
硅的纯化
长晶
切片
晶边磨圆
晶面研磨
晶片蚀刻
退火
晶片抛光
晶片清洗
检验/包装