文档介绍：电工电子实训中心
实验一场效应管放大电路的研究
一、实验目的
二、实验原理与方法
三、实验要求
五、预****要求与实验报告
四、实验仪器
六、思考题
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一实验目的
二、实验原理与设计方法
场效应管(FET)是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高,噪声系数低,受温度和辐射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。
场效应管的种类很多,按结构可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET).结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管(MOS管) 。MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种,而每一种又分为N沟道和P沟道。
结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的,输入电阻(105~1015)之间;
绝缘栅型是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄从而控制电流的大小,其输入阻抗很高(栅极与其它电极互相绝缘)。它在硅片上的集成度高,因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。
. 。输出特性曲线分为三个区:可变电阻区、恒流区和击穿区。
结场效管漏极输出曲线
( 1) 可变电阻区: 图中VDS很小,曲线靠近左边。:当VDS较小时,由于VDS的变化对沟道大小影响不大,沟道电阻基本为一常数,ID基本随VGS作线性变化。当VGS恒定时,沟道导通电阻近似为一常数,从此意义上说,该区域为恒定电阻区,当VGS变化时,沟道导通电阻的值将随VGS变化而变化,因此该区域又可称为可变电阻区。利用这一特点,可用场效应管作为可变电阻器。
(2)恒流区:图中VDS较大,曲线近似水平的部分是恒流区,,(或称为饱和区)该区的特点是ID的大小受VGS可控, 当VDS改变时ID几乎不变,场效应管作为放大器使用时,一般工作在此区域内。
(3)击穿区:当VDS增加到某一临界值时,ID开始迅速增大, 曲线上翘, 场效应管不能正常工作,甚至烧毁,场效应管工作时要避免进入此区间.