文档介绍：低温漂CMOS基准源的设计
By 丁力
洞察
实践
效果
1
2
3
带隙电路设计
研究原因
论文结构
基准源基本原理
运放设计
偏置设计
启动电路设计
第一二章
直流特性
温度特性
交流特性
启动瞬态仿真
扩散思考
基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。它的温度稳定性以及抗噪声能力影响到整个系统的精度和性能。
近年来,芯片系统集成(system on chip),对模拟电路基本模块提出了更高精度及速度的要求。
笔者个人的学****工作经历。
研究原因
1)介绍CMOS带隙基准源的现状、发展趋势以及本课题研究目的意义;
2)介绍基准源的分类,详细分析带隙基准源的基本原理和几种基本框架,并分析其优缺点;
3)对高精度的CMOS带隙基准源进行设计分析和模拟仿真;
论文结构
基准源基本原理
MOS管型基准源
基准源基本原理
二极管型基准源
当=750mV,T=300K时, 的值约为-。
负温度系数CTAT
正温度系数PTAT
在两条支路电流相等的条件下,如果增大二极管D2的反射区面积,就会使得D2上的压降比D1小,该电压差将会落在电阻R1上。
由于热电压,即两个正向导通二极管的电压差与绝对温度T成正比。
1)用NMOS阈值电压的负温度系数,加上PMOS阈值电压的正温度系数合成低温漂基准源;
2)从MOS管源-漏特性复制出与电源电压无关的电学参数;
3)两个温度系数的电压去相减;
开放性创意
失败尝试
直流特性
温度特性
交流特性
启动瞬态仿真
带隙电路设计
运放设计
偏置设计
启动电路设计
1
洞察
实践
效果
2
3
研究原因
论文结构
基准源基本原理
扩散思考
第三章
整体电路的设计
启动电路
偏置电路
运算放大电路
BANBA基准源