文档介绍：XPS数据分析
纵坐标:Intensity(cps)
横坐标:binding energy(eV)
除了氢氦元素,其他的元素都可以进行分析;先进行宽扫,确定样品有何种元素,再对该元素进行窄扫。该元素的不同键接方式都对应不同的峰,所以对元素窄扫的峰要进行分峰(分峰之前要进行调整基线)。如何分峰,不同的键接方式会对应不同的结合能。
第一步:先把元素的窄扫峰用origin画出来;
纵坐标:Intensity(cps)
横坐标:binding energy(eV)
第二步:调整基线;
选择Ceate Baseline-----next------next-----add/modify添加(双击)或去除(delete)基点,保证基线水平-----Finish
最小化图,会出现调整基线后的坐标。插入一列,
单机右键选择set column values 输入col(b)-col(d):即开始纵坐标减去调整基线后的纵坐标。
再用横坐标与刚开始得到的纵坐标作图------调整基线后的XPS窄扫图。
第三步:对峰求积分面积;
选择integrate peaks-----next-------狂点------完成
即area为峰的面积。
第四步:分峰较难(有专门的分峰软件,origin也能分峰)
第五步:求组分元素比:
元素比等于:窄扫峰面积/XPS灵敏度因子(每一个元素的灵敏度因子不一致)
咱们这边的XPS设备选择的是铝板(AlKα)。