文档介绍：场效应三极管的参数和型号
(1) 场效应三极管的参数
①开启电压VGS(th) (或VT)
开启电压是MOS增强型管的参数,栅源电压小于
开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。
②夹断电压VGS(off) (或VP)
夹断电压是耗尽型FET的参数,当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。
③饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。
④输入电阻RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,对于结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107Ω,对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109~1015Ω。
⑤低频跨导gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用,
这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转移特性曲线上求取,单位是mS(毫西门子)。
⑥最大漏极功耗PDM
最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定,与双极型
三极管的PCM相当。
(2) 场效应三极管的型号
场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其
一是与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场
效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表
材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟
道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C
是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。
场效应三极管的参数
半导体三极管图片