晶体管及其小信号放大（5）.ppt

文档介绍：第四章

晶体管及其小信号放大
-场效应管放大电路
电子电路基础
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§4 场效应晶体管及场效应管放大电路
§ 场效应晶体管(FET)
N沟道
P沟道
增强型
耗尽型
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
(耗尽型)
FET
场效应管
JFET
结型
MOSFET
绝缘栅型
(IGFET)
2
一、结构
§ 结型场效应管
源极,用S或s表示
N型导电沟道
漏极,用D或d表示
P型区
P型区
栅极,用G或g表示
栅极,用G或g表示
符号
符号
3
1 UGS<0, UDS=0V
PN结反偏,|UGS|越大则耗尽区越宽,导电沟道越窄。
二、工作原理(以N沟道为例)
4
ID
|UGS|越大耗尽区越宽,沟道越窄,电阻越大。
但当|UGS|较小时,耗尽区宽度有限,存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。
5
N
G
S
D
UGS
P
P
UGS达到一定值时(夹断电压VP),耗尽区碰到一起,DS间被夹断,这时,即使UDS  0V,漏极电流ID=0A。
ID
6
2 UGS=0, UDS>0V
ID
越靠近漏极,PN结反压越大, 耗尽层越宽,导电沟道越窄
沟道中仍是电阻特性,但是是非线性电阻。
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当 UDS=| Vp |, 发生预夹断, ID= IDss
UDS增大则被夹断区向下延伸。此时,电流ID由未被夹断区域中的载流子形成,基本不随UDS的增加而增加,呈恒流特性。
ID
8
3 UGS<0, UDS>0V
ID
UGD= UGS- UDS=UP
时发生预夹断
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三、特性曲线和电流方程
2. 转移特性
VP
1. 输出特性
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