第二章 逻辑门电路2.ppt

文档介绍：第二章内容2
半导体二极管及其基本电路
半导体器件的优点:体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高等。
§ 半导体的基本知识
一、半导体材料:
1、本征半导体:是一种完全纯净的结构完整的半导体晶体。
2、空穴:电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键中所留下的空位。
3、半导体区别于导体的一个重要特点是空穴的出现。
4、P(3价)、N型半导体(5价)。
11/10/2017
11/10/2017
§ PN结的形成及特性
一、PN结的形成:
二、PN结的单向导电性。
1、外加正向电压(正偏)。
2、外加反向电压(反偏)。
3、PN结的单向导电性是指正向电阻很小,反向电阻很大,其关键在于它的耗尽区的存在,且其宽度随外加电压而变化。
三、PN结V—I特性的表达式:
四、PN结的反向击穿:
1、反向击穿;2、反向击穿电压;3、热击穿;4、产生PN结电击穿的原因是:在强电场作用下,大大地增加了自由电子和空穴的数,引起反向电流的急剧增加。分为两类:雪崩击穿:碰撞理论解释;齐纳击穿:杂质浓度大(稳压管,齐纳二极管)。
11/10/2017
N区的电位比P区高V0,而在PN
11/10/2017
§ 半导体二极管
一、半导体二极管的结构:
点接触型:PN结面积小,适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关,也可作小电流整流。
面接触型:适用于整流,不宜用于高频电路。
二、二极管的-I特性:(同PN结)
1、正向特性:
2、反向特性:电流很小。
3、反向击穿,同PN结。
三、二极管的参数
1、最大整流电流IF是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。
2、反向击穿电压VBR:指管子未击穿时的电压值。
3、反向电流IR:指管子未击穿时的反向电流。
11/10/2017

§ 半导体BJT
一、BJT(Bipolar Junction Transistor):是通过一定的工艺,将两个PN结结合在一起的器件。
二、BJT(晶体管)分类:
1、按频率分:高频管;低频管
2、按功率分:大功率管;中功率管;小功率管
3、按材料分:硅管;锗管
4、按结构分:NPN型:虽然发射区和集电区都是N型半导体,但发射区比集电区掺的杂质多,面积小。
PNP型:
11/10/2017