第二章 逻辑门电路.ppt

文档介绍：2. 逻辑门电路
二极管的开关特性
BJT的开关特性
基本逻辑门电路
TTL逻辑门电路
CMOS逻辑门电路
NMOS逻辑门电路
(自学)
逻辑门电路使用中的几个实际问题
射极耦合逻辑门电路
二极管的开关特性

――电荷存储效应
二极管上外加正向电压
突然外加反向电压
(1)在反向电场的作用下,P区的电子被拉回到N区。
N区的空穴被拉回P区
(2)与异性的载流子复合
时间内
时间内
下降,二极管逐渐截止
存在的原因
由于电荷存储效应
3. 影响的因素
(1)与二极管的结构有关,结面积大的二极管, 也长
(2)与外加的信号有关:
正向电压大,正向电流就大,存储的电荷就多, 就长
反向电压大,存储电荷消失的就快, 就短。
4. 二极管的开通时间
开通时间:二极管从截止转为正向导通所需的时间
很短
对开关速度的影响很小
忽略不计
BJT的开关特性
BJT的开关作用
BJT的开关时间
BJT的开关作用
①以下的区域截止区
截止条件:
特点:
C、E之间近似开路,相当于开关断开
硅管:
管子已经截止
可靠截止,使
②放大区
曲线的平坦部分
条件:
③饱和区
临界饱和状态
过饱和状态
饱和压降
典型值:
硅管 锗管
饱和的特点:
1) (饱和的条件)
2)三极管的两结均是正偏
3)
4)