文档介绍：化学气相沉积
第四章
基本概念
化学气相沉积发展历程
化学气相沉积基本原理
化学气相沉积合成方法的适用范围
化学气相沉积工艺及设备
化学气相沉积工艺参数
化学气相沉积方法应用举例
目录
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基本概念
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化学气相沉积乃是通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
从气相中析出的固体的形态主要有下列几种:
在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒
在气体中生成粒子
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CVD技术的分类
CVD技术
低压CVD(LPCVD)
常压CVD(APCVD))
亚常压CVD(SACVD)
超高真空CVD(UHCVD)
等离子体增强CVD(PECVD)
高密度等离子体CVD(HDPCVD
快热CVD(RTCVD)
金属有机物CVD(MOCVD
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常用三种CVD技术优缺点
沉积方式
优点
缺点
APCVD
反应器结构简单
沉积速率快
低温沉积
阶梯覆盖能差
粒子污染
LPCVD
高纯度
阶梯覆盖能力极佳
产量高
适合于大规模生产
高温沉积
低沉积速率
PECVD
低温制程
高沉积速率
阶梯覆盖性好
化学污染
粒子污染
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化学气相沉积发展
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古人类在取暖或烧烤时在岩洞壁或岩石上的黑色碳层
20世纪50年代主要用于道具涂层
80年代低压CVD成膜技术成为研究热潮
近年来PECVD、LCVD等高速发展
20世纪60-70年代用于集成电路
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化学气相沉积法原理
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CVD是一种材料表面改性技术。它利用气相间的反应,在不改变基体材料的成分和不削弱的基体材料的强度条件下,赋予材料表面一些特殊的性能。CVD是建立在化学反应基础上的,要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。用于CVD技术的通常有如下所述五种反应类型。
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