文档介绍：第三部分****题与解答<br****题1
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
3、在N型半导体中,自由电子为多数载流子, 空穴为少数载流子。
1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。( × )
2、在N型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P型半导体。( √)
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(× )
4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。( × )
5、PN结在无光照无外加电压时,结电流为零。( √)
6、温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。( × )
7、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(× )<br****题2
客观检测题
一、填空题
1、半导体二极管当正偏时,势垒区变窄,扩散电流大于漂移电流。
2、在常温下,硅二极管的门限电压约 V, V;锗二极管的门限电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V。
3、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管,称为(稳压)二极管。请写出这种管子四种主要参数,分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。
二、判断题
1、二极管加正向电压时,其正向电流是由( a )。
a. 多数载流子扩散形成 b. 多数载流子漂移形成
c. 少数载流子漂移形成 d. 少数载流子扩散形成
2、PN结反向偏置电压的数值增大,但小于击穿电压,( c )。
a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小
c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大
3、稳压二极管是利用PN结的( d )。
a. 单向导电性 b. 反偏截止特性
c. 电容特性 d. 反向击穿特性
4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为( c )。
a. 10μA b. 15μA c. 20μA d. 40μA
5、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和,在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA,你认为哪一个管的性能较好?
答:B好,因为B的单向导电性好;当反向偏置时,反向饱和电流很小,二极管相当于断路,其反向偏置电阻无穷大。
。
主观检测题
1. ,设二极管均为理想二极管。
解:VO1≈2V(二极管正向导通),VO2=0(二极管反向截止),VO3≈-2V(二极管正向导通),VO4≈2V(二极管反向截止),VO5≈2V(二极管正向导通),VO6≈-2V(二极管反向截止)。
3 ,设二极管均为恒压降模型,且导通电压VD=。
解:UO1≈(二极管正向导通),UO2=0(二极管反向截止),UO3≈-(二极管正向导通),UO4≈2V(二极管反向截止),UO5≈(二极管正向导通),
UO6≈-2V(二极管反向截止)。
(a)
(c)
(b)
4 (正向可视为短路,反向可视为开路),试判断其中的二极管是导通还是截止,并求出、两端电压。
解:,图(a)所示电路,二极管D导通,VAO=-6V,
图(b)所示电路,二极管D1导通,D2截止,VAO=-0V,
图(c)所示电路,二极管D1导通,D2截止,VAO=-0V。
现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为5V和8V,。试问:
(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?
(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?
解:(1)、、。
(2)、5V等三种稳压值。
已知稳压管的稳压值VZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。。
解:(1)当VI=10V时,若VO1=VZ=6V,则稳压管的电流为
,
大于其最小稳定电流,所以稳压管击穿。故。
(2)当VI=10V时,若VO2=VZ=6V,则稳压管