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P3HT有机薄膜晶体管的制备与研究
FABRICATION AND INVESTIGATION OF P3HT
ORGANIC THIN-FILM TRANSISTORS
学位授予单位及代码:
学科专业名称及代码:微电子学与固体电子学(080903)
研究方向:电子薄膜与MEMS技术申请学位级别:硕士
指导教师: 研究生:
论文起止时间:—
大学硕士学位论文原创性声明
本人郑重声明:所呈交的硕士学位论文,《P3HT有机薄膜晶体管的制备与研究》是本人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。
作者签名: 年月日
大学学位论文版权使用授权书
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作者签名: 年月日
指导导师签名: 年月日
摘要
用有机材料制备的有机薄膜晶体管具有成本低、柔性、能够大面积制备等优点,在有源平板显示行业显示出了极大的应用潜力,成为新一代柔性显示器研发最为关键的一步。
在掌握了充足的理论知识的基础上,我们开展了对P3HT有机薄膜晶体管的研究。采用可溶液加工的旋涂的工艺方法,制备了不同溶液浓度,不同有源层厚度条件下的P3HT薄膜,成功地制备出具有开关特性的P3HT有机薄膜晶体管。并且通过原子力显微镜对薄膜进行表征,对不同薄膜之间的差异做出了分析,为进一步的实验奠定基础。
本论文还研究了退火对有机薄膜晶体管的影响,实现了在160℃真空条件下退火对器件性能的很大提高。
关键词:P3HT 有机薄膜晶体管旋涂退火
ABSTRACT
anic thin-film transistor, made anic materials, having the advantage of low-cost、flexibility and preparation of large-area ,has shown a great potential to apply on the flat-panel display and e the most crucial step in developing flexible display.
On the basis of sufficient theoretical knowledge, we carried out the research on anic thin-film transistor and prepared the anic thin-film transistors essfully in the way of solution spin-coating under different condition of solution concentration and active layer’s film thickness. By atomic force microscope, we tested the film thickness and analyzed the influence of difference film thickness on the performance of P3HT thin-film transistor, laying the foundations for further experiments.
At the same time, the paper also studied the influence of annealing on the devices, We greatly improved the performance of devices through annealing for one hour under the conditions of 160℃ vacuum.
Key words: anic Thin Film Transistors Spin Coating Annealing
目录
摘要
ABSTRACT
目录
第一章绪论.............