文档介绍：低压双电层氧化物薄膜晶体管的研究湖南大学博士学位论文学校代号:级:学密号:
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了客瞻霞作者签名:融陬寅日期:汐年石月日期:弘¨年日期:如年么月湖南大学学位论文原创性声明学位论文版权使用授权书本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名:本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权湖南大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本学位论文属于⒈C芸冢年解密后适用本授权书。⒉槐C芡拧朐谝陨舷嘤Ψ娇蚰诖颉埃导师签名:.
摘要近年来,宽带隙氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率,低温工艺,与柔性衬底兼容性好且能大面积生产、低成本等优势,引起了广泛的研究兴趣。由于它们通常需要比较大的工作电压才能获得高的输出电流与高迁移率,因此寻求新型的低压薄膜晶体管已经成为近几年的研究热点之一。低压工作的氧化物薄膜晶体管可以有效的减小器件和电路的功耗,在便携式电子学领域具有潜在的应用价值。本文采用等离子增强化学气相沉积⒋趴亟ι涞确椒ㄖ票噶怂ǖ绮愕脱氧化物薄膜晶体管,并对不同衬底,不同沟道,不同工艺下的薄膜晶体管的制备以及电学性能进行了研究,取得的主要研究成果有以下几方面:捎么趴亟ι浜蚉沉积技术,在全室温工艺条件下以硅片为衬底制备底栅结构的铟锡氧化物∧ぞ骞堋Uそ橹识趸遣捎肞技术,硅烷脱跗魑5姆从ζ逯票傅摹U飧鎏跫鲁粱腟为介孔疏松状,并含有大量的质子,为双电层的形成提供了有利的条件。双电层电容高达/ü运ǖ绮鉏薄膜晶体管的电学性能进行分析,得到器件的饱和迁移率、亚阈值摆幅和开关电流比分别为捎么趴亟ι浜蚉沉积技术,全室温工艺条件下制备了底栅结构的该鞅∧∧ぞ骞艿牡缪阅芙蟹治觯骷谋ズ颓ㄒ坡省⒀倾兄蛋诜和开关电流比分别为./,。同时也研究了可见光照对鵗阅艿挠跋欤庇锌杉庹帐保骷墓囟系缌骰岜浯螅⑶阈值电压有微小的变化,总的来说,可见光照对器件的性能影响不是很明显。捎么趴亟ι浜蚉沉积技术,在全室温工艺条件下制备了底栅结构的该鞅∧ぞ骞埽⒀芯苛酥票腹档朗毖跗慷訧电学性能和光学性能的影响以及在空气中放置时间对电学性能的影响。研究结果表明,随着沟道氧气含量的增加,器件沟道的导电性逐渐变差,阈值电压从负向移动到正向;随着器件在空气中放置的时间增加,器件的工作电压会随之增加,器件的阈值电压向正向漂移。捎玫パ谀W宰樽肮ひ眨趴亟ι浜蚉沉积技术,全室温条件下制备了底栅结构的共平面同质结该鞅∧ぞ骞堋沟道与础⒙┑缂同时沉积,形成了共平面同质结,减小了电极与沟道之间的接触电阻。单掩模自韵隆疺/,。博宦畚
组装法制备的的性能优越,,且器件的工作电压在韵隆K孀殴档篮穸鹊募跣。兄档缪瓜蛘移动,,在全室温条件下制备了底栅结构的共平面同质结嵝灾秸疟∧ぞ骞堋S捎谒ǖ绮阏そ橹实应用,器件的工作电压在韵隆5パ谀W宰樽胺ㄖ票傅腎纸张目关比达到,亚阈值摆幅为痙,ü此器件弯曲后电学性能的研究,得到了器件的迁移率,亚阈值摆幅,:薄膜晶体管;氧化物;柔性纸张电子学;低压:双电层;单掩模自组装;,低压双电层氧化物薄膜晶体管的研究
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