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薄膜的光致黄带发光与激发光源的相关性+验引言实发光学报摘要:用四种不同光源作为激发光源,研究了蓝宝石衬底金属有机物汽相外延方法生长的氮化镓薄膜的光1V体材料已经成为当前半导体科学技术领域国际性GaN(339eV)能好、击穿电压高和高温化学稳定性好等特点,所以它非常适合制作抗辐射、高频、大功率、耐高温和高密度集成的微电子器件和短波长光电子器H]GaN性质特别是光致发光特性是影响光电子器件性能的重要因素。GaN(PL)有报道,在众多文献报道中,不同的样品所测的光致发光谱不尽相同;对同一发光带,不同文献对它的来源解释也有所不同,也就是说至今人们对GaN有统一的认识口。】。之前人们研究的大多是关于GaNGaNGaN膜光致发光光谱与激发光源的相关性对进一步认识黄带发光的机理,探索黄光辐射复合的起源具有重要的意义。本文实验研究了ㄉさ腉外延层分别在连续和脉冲光源激发下的光致发光谱。根据实验结果和查阅分析相关文献,对在实验中所观察到的黄光发光带的与所用激光光源的相关性进行了分析讨论。2实验所用样品是以蓝宝石为衬底,三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为镓源、铝源和氮源。在510nmAIN生长约~nmGaNnmGaNPL(Scotland制造的荧光光谱仪,这种光谱仪基于单光子计数技术,是目前世界上较先进的稳态荧光光谱仪。连续激发光波长分别选325am(38nm(∮肏瓹す馄连续光作激发光源进行对比试验。脉冲光激发光谱实验用的激发光源为型—连续激光器,功率为,激光光子的能量为ǔのす饩德饰的斩波器斩波,用单色仪、光电倍增管、锁相放大器等组成测试系统,计算机采样,记录并输出。作3011000-7032(2009)01-0073-0436511111550nm365附近的带边发光峰,未观察到黄带发光。氮化镓薄膜的光致发光特性依赖于所用的激发光源性质。GaN中图分类号:.A20092CHINESEJOURNAL(400047400047)000—burgh收稿日期:—恍薅┤掌冢l(06XLB008)作者简介:手明月,女,吉林梅河口人,主要从事氮化物半导体材料与器件的研究。}E-******@yahooCOIllcaTel(023)3250F7855nln
万方数据
黼过3为对比试验使用す馄鳎河肣YAG(355llm35骷し⒐庠础光脉冲宽度,重复频率,单脉冲能量约,光斑尺寸约连续光激发谱1PL325..饧し⑾拢琍字谐鱿拇叻⒐夥搴驮eV)的邻近带边发光峰,见图中曲线琤。为了确认邻近带边的发光峰的起源,将激发光波长设定在eV)36113111喽杂谠eV)邻近带边发光峰红移贾星遚。在三种不同波长的光激发下,样品均可见很强的幕拼⒐夥澹渲鞣逦恢迷eV)363光激发下325nm1倍以上,发光强度计数约为.—个,,见图中虚线标识。,不同光强度照射测得365nm(34eV)325光激发下出现的叻搴邻近带边峰之间。在不同强度光照射下,谱中也均出现较强的宽黄带发光峰,其范围也在,与氙灯激发下黄550lmeV)19将非对称黄带主发光峰进行高斯拟合,结果发现535如)边发光还是黄带发光,其相对强度都随激发光强度的增加而增强。脉冲光激发谱3HeCdPL325nlnPL峰全宽约为am364a