文档介绍：毕设开题报告
某某大学某某学院
本科生毕业论文(设计)开题报告
(2011届)
课题名称:
学生姓名: 学号:
指导教师:
报告日期:

、解决的思路及实现预期目标的可行性分析
? 关键问题
1) 如何提高TFET的开态电流;
2) 如何降低TFET亚阈值斜率;
3) 如何提高TFET的开态电流同时降低TFET的亚阈值斜率。
? 解决思路
通过前期查阅相关书籍及论文,深入理解量子遂道效应,从而进一步了解TFET的原理。利用现有的量子力学和半导体物理的知识,继续理解TFET的结构特性,探究如何才能通过改变结构增强其性能。了解国内外对TFET器件的研究现状,获得启发,然后进行进一步研究。
? 可行性分析
1) 理论方面:虽然对TFET器件的研究还在逐步进行,但由于传统MOSFET的性能受
到诸多因素的影响,TFET这种新的器件已经被人们接受认可,对其认识也越来越深入,因此,这方面的资料也非常充足。
2) 计算方面:现在通过模拟和仿真,已经可以得到TFET器件的转移特性和输出特性,
这对TFET的性能进一步增强有着很大的帮助。
3) 国内外研究成果:20xx年9月,欧洲“高能效隧道场效应晶体管开关和电路”
(E2SWITCH)项目立项启动,该项目目标是实现新型超低能耗电子系统,包括大学、研究机构和公司在内的9所机构将共同努力使“明天的电路”更节能。E2SWITCH项目任务是研发基于硅衬底隧道场效应晶体管(TFET)异质结结构的超低功率电子系统,并利用量子力学效应使新晶体管的工作电压仅是现在标准手机电路工作电压的1/5。这是一个真正的挑战,特别是在未来便携式器件中独立功能将出现爆炸式增长的情况下。英特尔也是看中了TFET的潜力的企业之一。作为以低电压工作的新一代晶体管技术,该公司以前就在大力开发TFET。
英特尔在SSDM 2014上就TFET发表特邀演讲,演讲题目为“Tunnel-FET Transistors for 13nm Gate-Length and Beyond”, 由此可见,英特尔已将TFET作为10nm以后工艺的技术候补。
东芝已经开发出了可利用CMOS工艺制造,而且与以往的硅材料TFET相比在导通电流和工艺偏差方面更有利的TFET。此次开发的TFET有3种类型,分别根据设想应用的电路块对特性进行了优化。这三种TFET分别是(1)用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流和工艺偏差取得平衡的TFET;(2)用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流大的TFET;(3)用于SRAM、工艺偏差小的TFET。后两种是东芝和日本产综研的共同开发成果。
20xx年复旦大学的科研人员们把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来,构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件,被称为“半浮栅晶体管”。把TFET和浮栅相结合,半浮栅晶体管的“数据”擦写便更加容易与迅速。

第二篇:毕业设计开题报告 700字

毕业设计(论文