文档介绍：单晶体原则上可以由固态、液态(熔体或溶液)或气态生长而得。实际上人工晶体多半由熔体达到一定的过冷或溶液达到一定的过饱和而得。晶体生长是用一定的方法和技术,使单晶体由液态或气态结晶成长。由液态结晶又可以分成熔体生长或溶液生长两大类。
熔体生长法这类方法是最常用的,主要有提拉法(又称丘克拉斯基法)、坩埚下降法、区熔法、焰熔法(又称维尔纳叶法)等。
提拉法此法是由熔体生长单晶的一项最主要的方法,被加热的坩埚中盛着熔融的料,籽晶杆带着籽晶由上而下插入熔体,由于固液界面附近的熔体维持一定的过冷度、熔体沿籽晶结晶,并随籽晶的逐渐上升而生长成棒状单晶。坩埚可以由高频感应或电阻加热。半导体锗、硅、氧化物单晶如钇铝石榴石、钆镓石榴石、铌酸锂等均用此方法生长而得。应用此方法时控制晶体品质的主要因素是固液界面的温度梯度、生长速率、晶转速率以及熔体的流体效应等。
坩埚下降法将盛满材料的坩埚置放在竖直的炉内,炉分上下两部分,中间以挡板隔开,上部温度较高,能使坩埚内的材料维持熔融状态,下部则温度较低,当坩埚在炉内由上缓缓下降到炉内下部位置时,材料熔体就开始结晶。坩埚的底部形状多半是尖锥形,或带有细颈,便于优选籽晶,也有半球形状的以便于籽晶生长。晶体的形状与坩埚的形状是一致的,大的碱卤化合物及***化物等光学晶体是用这种方法生长的。
区熔法将一个多晶材料棒,通过一个狭窄的高温区,使材料形成一个狭窄的熔区,移动材料棒或加热体,使熔区移动而结晶,最后材料棒就形成了单晶棒。这方法可以使单晶材料在结晶过程中纯度提得很高,并且也能使掺质掺得很均匀。区熔技术有水平法和依靠表面张力的浮区熔炼两种。
焰熔法这个方法的原理是利用氢和氧燃烧的火焰产生高温,使材料粉末通过火焰撒下熔融,并落在一个结晶杆或籽晶的头部。由于火焰在炉内形成一定的温度梯度,粉料熔体落在一个结晶杆上就能结晶。小锤敲击料筒震动粉料,经筛网及料斗而落下,氧氢各自经入口在喷口处,混合燃烧,结晶杆上端插有籽晶,通过结晶杆下降,使落下的粉料熔体能保持同一高温水平而结晶。
这个方法用来生长刚玉及红宝石最为成熟,已有80多年的历史,在全世界范围每年生产很多吨。这个方法的优点是不用坩埚,因此材料不受容器污染,并且可以生长熔点高达2 500℃的晶体;其缺点是生长的晶体内应力很大。
溶液生长法此法可以根据溶剂而定。广泛的溶液生长包括水溶液、有机和其他无机溶液、熔盐和在水热条件下的溶液等。最普通的是由水溶液中生长晶体。从溶液中生长晶体的主要原理是使溶液达到过饱和的状态而结晶。最普通的有下述两个途径:①根据溶液的溶解度曲线的特点升高或降低其温度;②采用蒸发等办法移去溶剂,使溶液浓度增高。当然也还有其他一些途径,如利用某些物质的稳定相和亚稳相的溶解度差别,控制一定的温度,使亚稳相不断地溶解,稳定相不断地生长等。
水溶液法一般由水溶液中生长晶体需要一个水浴育晶装置,它包括一个既保证密封又能自转的掣晶杆使结晶界面周围的溶液成分能保持均匀,在育晶器内装有溶液,它由水浴中水的温度来严格控制其温度并达到结晶。掌握合适的降温速度,使溶液处于亚稳态并维持适宜的过饱和度是非常必要的。
对于具有负温度系数或其溶解度温度系数较小的材料,可以使溶液保持恒温,并且不断地从育晶器中移去溶剂而使晶体生长,采用这种办法结晶的叫蒸发法。目前很多功能晶体如