文档介绍：芯片测试反压作业规范及品质要求
一、芯片测试工艺目的及品质要求
二、芯片测试准备工作
三、芯片测试
四、芯片测试软件注意事项
五、芯片测试操作注意事项
六、芯片测试安全注意事项
七、芯片反压工艺目的及品质要求
八、芯片反压准备工作
九、芯片反压作业步骤
十、芯片反压异常判定
十一、芯片反压操作注意事项
十二、芯片反压安全注意事项
一、芯片测试工艺目的及品质要求
1、工艺目的
测试非晶硅太阳电池芯片的电性参数;
2、品质要求
、测试结果有较好的重复性,误差范围2%内;
、测试环境温度25±5℃;
、光强分布误差:100±5 mw/cm2;
、测试过程中不造***为破角或在背电极留下手指印,及探
针刮伤膜面;
二、芯片测试准备工作
1、开机
A、打开计算机,双击桌面软件图标,进入测试软件工作界面;
B、进入测试界面后,打开氙灯电源钥匙开关,待显示屏界面稳定后按“STOP”和“WORK”切换按钮;
C、打开负载电源开关(如图1);
图1 负载电源开关图2 主电源电压显示界面
二、芯片测试准备工作
2、标准板清洁
A、在搬运测试标准板时,需要戴上尼龙手套,减少标准板玻璃面的手指印残留;
B、车间测试人员在较准标准板前,要先对标准板的玻璃表面进行清洁(用旧尼龙手套或纱布沾上酒精进行清洁),清洁后才可以进行标准板较准;
3、光强校准
A、点击测试软件界面中的光强测试按钮,进入光强测试界面;
B、在光强测试界面中,点击“重测”按钮(连续3-5次),若光强在100±5mw/cm2范围内,则点击“平均”按钮,后再点击确定;若标准光强不在规定的范围内,则通过微调整主电源电压(调节幅度±5V,)使标准光强达到100±5mw/cm2;
二、芯片测试准备工作
4、标准板校准
A、在标准光强100±5mw/cm2下测试非晶硅太阳电池组件标准片;
B、根据测试结果和标准片所标示的参数对比,在控制面板界面进行修正校准因子:
a、调整电压测量校准因子使Voc与标准板标称标示值相近;
b、调整电流测量校准因子使Isc与标准板标称标示值相近;
c、在开关时间不变的情况下,调整修正电阻使FF、Pm与标准板标示值
相近(此过程需要配合调整电压测量较准因子、电流测量较准因子);
d、若调节修正电阻无法使FF、Pm与标准板标示值接近,则相应调节开关时
间,此时需按3的要求重新校正光强,
标准板;
e、标准板较准过程中的测试值(FF、Voc、Isc、Pm)需与标准板标称值相
近,并且具有良好的重复性和一致性,相近值重复次数不少于4次;
f、标准板生产校准过程中只允许修改电流测量校准因子、电压测量校准因
子、开关时间、修正电阻,禁止修改其他测试参数;
g、标准板较准时各项参数与标准板标示值的误差范围为:Pm(±)、
Voc(±)、Isc(±)、FF(±);
二、芯片测试准备工作
图3 工艺参数设定窗口图4 测试软件窗口
光强测试按钮
三、芯片测试
1、作业员戴好尼龙手套,取待测试电池芯片置于测试机
进片口的万向轮平台上,电池芯片正极边为靠近测
试电脑的那一边(单晶硅标准板),且芯片应在测试
机的测试区域内(如图5);
三、芯片测试
2、用扫描仪把芯片上条码扫到测试软件界面中(或手动输入芯片编号),后轻轻推动待测电池芯片,使待测电池芯片在测试机的中间位置(待测电池芯片的受光面面向光源);
3、按下测试机气动阀的控制开关,使气缸下压,从而使测试探针与电池芯片的正负极相接触;
4、点击测试界面中的“测试”按钮(可使用快捷键“空格键”或“Alt+x”)或踩下脚踏开关进行测试并根据芯片的情况选择相应的产品形态;
三、芯片测试
5、每片芯片至少需要测试两次,并记录最后一次测
试数据记录;
6、测试人员按下气动阀控制开关让测试工装上升,
脱离与芯片的接触;
7、下片人员从下片口处拉出已测试的电池芯片,并
参照品保发行的《非晶硅太阳能电池芯片/组件
等级判定标准》将电池芯片进行等级分类放置于
相应的小推车上;
8、车间每个班在下班前需要将本班的测试数据导出
并进行整理(需按单结、双结退火测试、反压测
试分开),并把测试数据保存在相应的电子档文
中;
四、芯片测试软件注意事项
1、每一片芯片或组件在测试后,会出现一个“客
户定制信息”对话框,对话框中内容有测试机
位、产品形态、有效数据无效数据;
2、测试机位:每一台测试机有固定的编号,一车
间芯片段为101,一车间组件段为102;
3、产品形态:每一片芯片或组件的产品形态(良
品芯片或不良芯片),若没有不良则为
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