VLSI设计基础2器件与工艺上教学课件.ppt

文档介绍：VLSI设计基础
第2章 MOS器件与工艺基础
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上周课内容回顾:
集成电路发展史
摩尔定律
电子信息系统构成
VLSI设计流程
本章概要:
MOS晶体管基础
CMOS逻辑部件
MOS集成电路工艺基础
版图设计
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MOS晶体管基础
MOS晶体管结构及基本工作原理
MOS晶体管的电流-电压特性
MOS晶体管的阈值电压VT 调到第8章介绍
MOS晶体管主要电参量
CMOS结构
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本节课内容
MOS晶体管结构
MOS晶体管基本工作原理
MOS晶体管的电流-电压特性
CMOS结构
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先回顾几个概念
导体、半导体
载流子、多子、少子
掺杂、N型半导体、P型半导体
PN结
MOSFET:Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor
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MOS晶体管结构
MOS晶体管结构及基本工作原理
NMOS PMOS
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MOS晶体管结构
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思考题:怎么样才能让MOS管工作?
两个N+区哪个是源端,哪个是漏端?
MOS晶体管的基本工作原理
D
S
V
+
-
工作条件:VDS很小时
如果不是很小怎么样?
VTN:阈值电压
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